如果你需要購(gou)買磨(mo)(mo)粉機，而(er)且區分不了雷蒙磨(mo)(mo)與球磨(mo)(mo)機的(de)區別，那么下面讓我來給你講解(jie)一下： 雷蒙磨(mo)(mo)和球磨(mo)(mo)機外(wai)形差(cha)異較大，雷蒙磨(mo)(mo)高達威猛，球磨(mo)(mo)機敦(dun)實個頭也(ye)不小，但是二者的(de)工
隨(sui)著(zhu)社會(hui)經(jing)濟的(de)快(kuai)速(su)發展，礦石(shi)磨(mo)粉的(de)需求量(liang)越(yue)來(lai)越(yue)大(da)，傳統(tong)的(de)磨(mo)粉機(ji)已經(jing)不能滿(man)足生產(chan)(chan)的(de)需要，為(wei)了滿(man)足生產(chan)(chan)需求，黎明重工加緊科研步伐，生產(chan)(chan)出了全自動(dong)智能化(hua)環保節(jie)能立式(shi)磨(mo)粉
網頁2020年12月14日? 本文件(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)編(bian)制主要參照《光伏單晶硅(gui)生(sheng)長(chang)用石(shi)英坩(gan)堝生(sheng)產(chan)規(gui)范》t/cemia 0042018 的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)以(yi)及國內主要生(sheng)產(chan)石(shi)英坩(gan)堝企業的(de)(de)(de)(de)(de)生(sheng)產(chan)操作指導書、生(sheng)產(chan)流程、檢驗(yan)人員和設備 的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)為依據，確(que)(que)保生(sheng)產(chan)規(gui)范化，加強生(sheng)產(chan)現場的(de)(de)(de)(de)(de)有(you)效控制，確(que)(que)保石(shi)英坩(gan)堝質量(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)
網(wang)頁2020年1月8日? SiO+Si—2SiO（氣(qi)）石英(ying)坩堝生產原理(li)：將(jiang)(jiang)高(gao)純石英(ying)粉裝入可(ke)任意傾動(dong)(dong)角度的(de)旋(xuan)轉成(cheng)型模內，利用離心力成(cheng)型，將(jiang)(jiang)已成(cheng)坩堝形(xing)的(de)旋(xuan)轉著的(de)裝置移動(dong)(dong)至(zhi)電(dian)極棒處，然
網頁(ye)2023年(nian)2月27日? 我國石英(ying)坩堝行業發展可(ke)分為幾個歷史時(shi)期(qi)： 19781988 年(nian)，我國的(de)電弧(hu)法石英(ying)坩堝、高純涂層坩堝同激(ji)光用石英(ying)玻璃、高純耐高溫(wen)石英(ying)玻璃管等石英(ying)
網頁噴(pen)砂通常是(shi)石英(ying)坩堝生產過程中的重要步(bu)驟，產品的噴(pen)砂工作是(shi)由(you)噴(pen)砂機(ji)完成的。接(jie)下(xia)來，讓(rang)我(wo)們來了解一(yi)下(xia)石英(ying)坩堝噴(pen)砂工藝的步(bu)驟。 1首先，我(wo)們應該連接(jie)噴(pen)砂機(ji)的電源和(he)壓縮(suo)
網頁(ye)本研究通過模(mo)擬和(he)(he)實驗(yan)研究了(le)TaC涂層和(he)(he)石墨(mo)紙對SiC晶錠生長過程(cheng)的影響，并與常規(gui)石墨(mo)坩堝中的生長進行(xing)了(le)比較。我們證明了(le)使用TaC涂覆的石墨(mo)中繼環(huan)和(he)(he)包圍石墨(mo)坩堝內壁的
網頁2023年2月28日? 背景(jing)技術： 2石英(ying)坩(gan)堝(guo)是一種生(sheng)產單晶硅棒所需的設備，其中(zhong)，在(zai)石英(ying)坩(gan)堝(guo)的生(sheng)產過程中(zhong)，需要使(shi)用運料裝置來將具有(you)較高溫(wen)度(du)的石英(ying)坩(gan)堝(guo)搬運到(dao)涂料工作(zuo)臺
網頁CZ 法(fa)拉制單(dan)晶(jing) 硅(gui)的設備由 4 個部分組(zu)成(cheng)：1）爐體(ti)：包括石(shi)英坩堝、石(shi)墨(mo)坩堝、加(jia)熱(re)組(zu)件、爐壁等(deng)； 2）晶(jing)棒和上升(sheng)旋(xuan)轉(zhuan)機構：包括晶(jing)種夾、旋(xuan)轉(zhuan)機構；3）氣體(ti)氛圍與壓(ya)力：包括
網頁6 小時前? 石英坩堝是(shi)高純石英制(zhi)成的(de)(de)容器，是(shi)光伏行業(ye)不可或(huo)缺的(de)(de)重要支撐材料，是(shi)太陽能產(chan)品硅單晶、硅多晶生產(chan)中(zhong)所必需的(de)(de)石英容器，也是(shi)半導體產(chan)業(ye)和硅太陽能電池(chi)的(de)(de)基礎
網頁目前硅片環節供(gong)應(ying)緊(jin)張，多(duo)數企業反應(ying)石(shi)英坩堝(guo)限制了拉晶(jing)產出，多(duo)數企業在產能(neng)爬坡過程中加大坩堝(guo)采購(gou)量(liang)，市面上優質坩堝(guo)供(gong)給緊(jin)張愈(yu)發明(ming)顯。 預計隨著(zhu)坩堝(guo)緊(jin)張持續演繹，硅
網頁2020年12月14日? 本文(wen)件的(de)編制(zhi)主要(yao)參照《光伏單晶硅生(sheng)長用石英坩堝(guo)生(sheng)產(chan)(chan)(chan)規(gui)范》t/cemia 0042018 的(de)要(yao)求以及(ji)國內主要(yao)生(sheng)產(chan)(chan)(chan)石英坩堝(guo)企業(ye)的(de)生(sheng)產(chan)(chan)(chan)操作指導書(shu)、生(sheng)產(chan)(chan)(chan)流(liu)程、檢驗(yan)人員和設(she)備 的(de)要(yao)求為依據，確保生(sheng)產(chan)(chan)(chan)規(gui)范化(hua)，加強生(sheng)產(chan)(chan)(chan)現場的(de)有(you)效(xiao)控制(zhi)，確保石英坩堝(guo)質(zhi)量的(de)穩定。
網頁(ye)2023年1月15日? 若(ruo)高純石英砂能夠實現進口替代，則有利于(yu)國內(nei)石英坩堝(guo)企業(ye)穩定供貨及原材料成本控制。 根據QYResearch，全球(qiu)石英坩堝(guo)市場(chang)主要生產(chan)商(shang)有歐晶科(ke)技、ShinEtsuQuartz、錦州(zhou)佑(you)鑫(xin)石英科(ke)技有限公司(si)等(deng)企業(ye)，排名前(qian)三的企業(ye)占(zhan)全球(qiu)市場(chang)約30%的份額，其(qi)中亞太地(di)區是
網頁2020年2月2日? 本(ben)文(wen)件由中國電子(zi)材(cai)(cai)料行業協會(hui)標準化部歸口(kou)。 本(ben)文(wen)件主要(yao)起草單(dan)位：錦州(zhou)佑鑫石英科(ke)技(ji)有限公司(si)，內蒙古歐晶(jing)科(ke)技(ji)股份有限公司(si)，江西中昱(yu)新材(cai)(cai) 料科(ke)技(ji)有限公司(si) 1 T/CEMIA 000－2020 半(ban)導(dao)體單(dan)晶(jing)硅生長用石英坩(gan)堝生產規(gui)范 1 范圍 本(ben)文(wen)件確立了半(ban)導(dao)體單(dan)晶(jing)
網頁(ye)石英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)中(zhong)的(de)(de)羥(qian)(qian)基(ji) 返回首頁(ye) 坩(gan)(gan)堝(guo)中(zhong)的(de)(de)羥(qian)(qian)基(ji)（OH）是對坩(gan)(gan)堝(guo)強度影(ying)響的(de)(de)核心因素(su)，由于羥(qian)(qian)基(ji)的(de)(de)存(cun)在，改變了(le)SiO2的(de)(de)鍵合結(jie)構，致使坩(gan)(gan)堝(guo)的(de)(de)耐溫性能大幅降低，例如坩(gan)(gan)堝(guo)中(zhong)的(de)(de)羥(qian)(qian)基(ji)含量超過150ppm，1050攝(she)氏度就會開始軟化變形，無法(fa)正(zheng)常使用。
網頁(ye)2020年1月8日? 石(shi)(shi)英(ying)坩堝(guo)(guo)相關知識介紹ppt課(ke)件 系統(tong)標簽： 坩堝(guo)(guo) 石(shi)(shi)英(ying) 拉晶(jing)(jing) aqm 氣泡 結晶(jing)(jing) 報告人：石(shi)(shi)英(ying)坩堝(guo)(guo)的簡介客戶關注問題單(dan)晶(jing)(jing)圓坩堝(guo)(guo)多晶(jing)(jing)方坩堝(guo)(guo)石(shi)(shi)英(ying)坩堝(guo)(guo)的使用(yong)石(shi)(shi)英(ying)坩堝(guo)(guo)的作(zuo)用(yong)石(shi)(shi)英(ying)坩堝(guo)(guo)的作(zuo)用(yong)：在(zai)高溫(wen)下盛(sheng)裝硅(gui)液(ye)，并防止(zhi)其他雜質進入硅(gui)液(ye)。 SiO+Si—2SiO（氣）石(shi)(shi)英(ying)
網(wang)頁2022年5月(yue)20日? q：在光伏硅片(pian)生(sheng)產(chan)過(guo)程(cheng)中，拉晶用的(de)(de)(de)石(shi)英坩(gan)堝各(ge)層對于石(shi)英砂(sha)品質的(de)(de)(de)要求和區別是(shi)什么(me)？國內(nei)外石(shi)英塊價(jia)格和品質有什么(me)不(bu)同(tong)？a：石(shi)英砂(sha)在單(dan)(dan)晶坩(gan)堝用的(de)(de)(de)環節(jie)就是(shi)把多晶硅進(jin)行直拉法變成單(dan)(dan)晶硅棒(bang)在進(jin)行硅片(pian)的(de)(de)(de)切(qie)割。砂(sha)子主(zhu)要是(shi)用來作(zuo)單(dan)(dan)晶拉直過(guo)程(cheng)中用的(de)(de)(de)坩(gan)堝，砂(sha)現在一(yi)般主(zhu)要分為三層，像進(jin)口的(de)(de)(de)
網頁坩堝是用(yong)極耐火的材(cai)料(liao)（如，粘土、石英、瓷(ci)土或(huo)較難熔化的金屬）所制的器皿或(huo)熔化罐。主要用(yong)于溶液的蒸發、濃縮或(huo)結晶(jing)，灼(zhuo)燒固體物質。那么，不同的坩堝，又將如何(he)使用(yong)，接(jie)下(xia)來，就和(he)小編一起看(kan)看(kan)吧。 一、坩堝該
網(wang)頁6統計過(guo)程控制 4422打(da)開塑料(liao)包裝袋(dai)，戴(dai)上(shang)潔凈的(de)塑料(liao)手(shou)套(tao)取出(chu)石英(ying)坩堝(guo)，并檢查石英(ying)坩堝(guo)的(de)標簽是(shi)否完好(hao)，石英(ying)坩堝(guo)是(shi)否有(you)裂(lie)紋、孔(kong)洞、表(biao)面不規(gui)則等，同(tong)時檢查內壁是(shi)否有(you)疵點、氣泡、劃(hua)道(dao)等，用戴(dai)著手(shou)套(tao)的(de)手(shou)指去觸摸內壁，檢查是(shi)否有(you)小臟物，或表(biao)面
網頁2022年(nian)5月(yue)11日? 石英坩(gan)堝熔(rong)制(zhi)(zhi)裝置及(ji)制(zhi)(zhi)備方法(fa)與(yu)流程 電極210開(kai)合度的大小(xiao)，通過控(kong)制(zhi)(zhi)驅動件320，進(jin)一(yi)步(bu)的實(shi)現對6根電極210之(zhi)間產生(sheng)的電弧進(jin)行控(kong)制(zhi)(zhi)，以(yi)此在(zai)熔(rong)融石英坩(gan)堝的過程中(zhong)對其穩(wen)定熔(rong)制(zhi)(zhi)，進(jin)一(yi)步(bu)實(shi)現制(zhi)(zhi)備大尺寸的石英坩(gan)堝。
網(wang)頁(ye)2 ? 2023年石(shi)(shi)英砂行業深(shen)度(du)報告(gao)， 從基礎(chu)原材(cai)料到戰略級資(zi)源。石(shi)(shi)英砂又稱硅砂，是由(you)天然水晶、石(shi)(shi)英礦物加工(gong)而成或化(hua)學合成的二(er)氧化(hua)硅材(cai)料。 石(shi)(shi)英制品具有硬度(du)大、膨(peng)脹系數低等(deng)特點(dian)，在耐高溫性、耐腐蝕性、透光(guang)性、化(hua) 學穩(wen)定性、電絕緣(yuan)性等(deng)方面表(biao)現良好。
網頁2022年5月14日? 坩(gan)(gan)堝(guo)環節為保(bao)證坩(gan)(gan)堝(guo)熔(rong)制效(xiao)果，嚴(yan)格控制各金屬雜質含(han)量(liang)。若(ruo)高純石英砂純度(du)不足：1）熔(rong)制過程(cheng)造成坩(gan)(gan)堝(guo)本身(shen)形變，導(dao) 致坩(gan)(gan)堝(guo)使(shi)用(yong)壽命降低(di)；2）影響拉(la)制單晶硅的純度(du)，從而導(dao)致硅棒良品率的降低(di)。 石英坩(gan)(gan)堝(guo)中內層對高純石英砂高純、低(di)鋁、低(di)堿、抗析
網頁(ye)本研(yan)究通過模擬和實(shi)驗研(yan)究了TaC涂層和石墨(mo)紙對SiC晶(jing)(jing)錠生長(chang)過程的(de)影響(xiang)，并與(yu)常規石墨(mo)坩(gan)堝中(zhong)(zhong)的(de)生長(chang)進行了比較。我們證明了使用TaC涂覆的(de)石墨(mo)中(zhong)(zhong)繼環和包圍石墨(mo)坩(gan)堝內壁的(de)石墨(mo)紙生長(chang)的(de)晶(jing)(jing)體在(zai)晶(jing)(jing)體完整(zheng)性和界面(mian)(mian)形狀方面(mian)(mian)表現出(chu)優異的(de)特性。
網頁2021年(nian)10月30日? 中國粉體網訊 石(shi)英坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)具(ju)有高純度(du)、耐溫性強、尺寸大精度(du)高、保溫性好等優點，應(ying)用(yong)越來越廣泛，在(zai)冶金、化工、電(dian)工、航(hang)(hang)空航(hang)(hang)天等工業領域受(shou)到極大青睞。 尤其(qi)是在(zai)硅晶體生長過程中，石(shi)英坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)成(cheng)為(wei)(wei)了不可替代的關鍵部件！ 一般來講，根據制備工藝(yi)及(ji)用(yong)途不同，石(shi)英坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)又(you)分為(wei)(wei)電(dian)弧石(shi)英坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)和
網頁科學管理(li)(li)，實(shi)施(shi)過程(cheng)控制 所用原料高純石英砂是石英坩堝(guo)純度(du)的(de)基礎。高溫下，不同(tong)雜(za)質由于其(qi)物理(li)(li)特(te)性不同(tong)而在石英坩堝(guo)中的(de)擴散快慢不同(tong)，但雜(za)質擴散的(de)現象說明高品質石英砂的(de)使用是單(dan)晶品質保(bao)障的(de)關鍵。
網(wang)頁2023年1月(yue)15日(ri)? 若(ruo)高純石(shi)英砂能(neng)夠實(shi)現(xian)進(jin)口替代(dai)，則有(you)利于國內石(shi)英坩堝企業穩定供(gong)貨及原材料成(cheng)本控(kong)制。 根(gen)據QYResearch，全球石(shi)英坩堝市(shi)場(chang)主要生產商有(you)歐晶科技、ShinEtsuQuartz、錦州佑鑫石(shi)英科技有(you)限公(gong)司等企業，排名(ming)前三的企業占全球市(shi)場(chang)約(yue)30%的份額，其中亞太(tai)地區是(shi)
網(wang)頁科學管(guan)理(li)，實施過程控制 所(suo)用(yong)原(yuan)料高(gao)純(chun)石(shi)英(ying)砂是(shi)石(shi)英(ying)坩堝純(chun)度的(de)(de)基(ji)礎。高(gao)溫下(xia)，不同(tong)(tong)雜質由于其(qi)物(wu)理(li)特性不同(tong)(tong)而在石(shi)英(ying)坩堝中的(de)(de)擴散快慢不同(tong)(tong)，但雜質擴散的(de)(de)現象說(shuo)明高(gao)品質石(shi)英(ying)砂的(de)(de)使用(yong)是(shi)單晶(jing)品質保障的(de)(de)關鍵。
網(wang)頁石(shi)英坩堝(guo)中(zhong)(zhong)的羥(qian)(qian)基(ji)(ji) 返回首(shou)頁 坩堝(guo)中(zhong)(zhong)的羥(qian)(qian)基(ji)(ji)（OH）是對坩堝(guo)強度影響的核心因素，由(you)于羥(qian)(qian)基(ji)(ji)的存在(zai)，改變(bian)了SiO2的鍵合結構，致使坩堝(guo)的耐溫性能大幅降(jiang)低，例如坩堝(guo)中(zhong)(zhong)的羥(qian)(qian)基(ji)(ji)含量超(chao)過150ppm，1050攝氏度就會(hui)開始軟(ruan)化變(bian)形，無(wu)法正常(chang)使用。
網頁2020年1月8日? 石(shi)英(ying)(ying)(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)相關知識(shi)介紹ppt課(ke)件 系統標簽： 坩(gan)堝(guo)(guo) 石(shi)英(ying)(ying)(ying)(ying) 拉晶 aqm 氣泡 結晶 報告(gao)人：石(shi)英(ying)(ying)(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)的(de)簡介客戶關注(zhu)問題單晶圓坩(gan)堝(guo)(guo)多晶方坩(gan)堝(guo)(guo)石(shi)英(ying)(ying)(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)的(de)使用石(shi)英(ying)(ying)(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)的(de)作用石(shi)英(ying)(ying)(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)的(de)作用：在高溫(wen)下(xia)盛裝硅液(ye)，并防(fang)止(zhi)其他雜質(zhi)進入硅液(ye)。 SiO+Si—2SiO（氣）石(shi)英(ying)(ying)(ying)(ying)
網頁2022年5月(yue)20日? q：在光伏硅(gui)片生(sheng)產過程(cheng)中，拉(la)晶用(yong)的(de)石(shi)(shi)英坩(gan)堝(guo)(guo)各層(ceng)對于石(shi)(shi)英砂(sha)品(pin)質(zhi)的(de)要求(qiu)和區別是什么(me)？國內外石(shi)(shi)英塊價(jia)格和品(pin)質(zhi)有什么(me)不同？a：石(shi)(shi)英砂(sha)在單(dan)晶坩(gan)堝(guo)(guo)用(yong)的(de)環節(jie)就是把多晶硅(gui)進行直拉(la)法(fa)變(bian)成單(dan)晶硅(gui)棒在進行硅(gui)片的(de)切割。砂(sha)子主要是用(yong)來作單(dan)晶拉(la)直過程(cheng)中用(yong)的(de)坩(gan)堝(guo)(guo)，砂(sha)現在一(yi)般(ban)主要分為三(san)層(ceng)，像進口的(de)
網(wang)頁2021年(nian)11月30日? 認(ren)為(wei)除石英(ying)坩堝外(wai)，光伏(fu)制造過程還(huan)需用到(dao)石英(ying)舟、石英(ying)爐管和(he)舟托架等其他石英(ying)制品。因此預計(ji)光伏(fu)用石英(ying)材料整體空(kong)間大于此次測算值， 2020 年(nian)市(shi)場規(gui)模預計(ji)在(zai) 20 億左右（石英(ying)坩堝約 12 億元，其他耗材約 8 億元）。此外(wai)，測算得知高純(chun)石英(ying)砂需求量
網頁6統(tong)計(ji)過程控(kong)制(zhi) 4422打開(kai)塑料包(bao)裝(zhuang)袋(dai)，戴(dai)(dai)上潔凈的塑料手套取出石英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)，并檢(jian)查(cha)石英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)的標簽(qian)是(shi)(shi)否(fou)完(wan)好，石英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)是(shi)(shi)否(fou)有(you)裂紋、孔洞(dong)、表面不規則等，同時(shi)檢(jian)查(cha)內壁是(shi)(shi)否(fou)有(you)疵點、氣泡、劃道等，用戴(dai)(dai)著手套的手指去觸摸內壁，檢(jian)查(cha)是(shi)(shi)否(fou)有(you)小臟物，或表面
網頁(ye)單晶(jing)(jing)硅制備流程 直拉法簡稱 cz 法。cz 法的特點是在一個直筒型的熱系統匯總(zong)，用石(shi)墨電阻加熱，將(jiang)裝在高純(chun)度(du)石(shi)英坩堝中的多晶(jing)(jing)硅熔(rong)(rong)(rong)化，然后將(jiang)籽晶(jing)(jing)插入熔(rong)(rong)(rong)體表面進行熔(rong)(rong)(rong)接，同時(shi)轉動籽晶(jing)(jing)，再反轉坩堝，籽晶(jing)(jing)緩慢(man)向上提(ti)升(sheng)，經過(guo)引晶(jing)(jing)、放大、轉肩、等徑生長、收尾等過(guo)程，得(de)
網頁(ye)2022年5月11日? 石(shi)英坩堝(guo)熔(rong)(rong)制裝置(zhi)及(ji)制備方法與流程 電極(ji)210開合(he)度的(de)大小，通(tong)過(guo)(guo)控(kong)制驅(qu)動件320，進(jin)一步的(de)實現對6根電極(ji)210之間產生的(de)電弧進(jin)行控(kong)制，以此在熔(rong)(rong)融(rong)石(shi)英坩堝(guo)的(de)過(guo)(guo)程中對其(qi)穩定熔(rong)(rong)制，進(jin)一步實現制備大尺寸(cun)的(de)石(shi)英坩堝(guo)。
網頁2 ? 2023年石(shi)(shi)英砂行業深(shen)度報告(gao)， 從(cong)基礎原(yuan)材料到(dao)戰略級資源。石(shi)(shi)英砂又(you)稱(cheng)硅砂，是由天然水晶(jing)、石(shi)(shi)英礦物加工而(er)成(cheng)或化(hua)學合成(cheng)的二氧化(hua)硅材料。 石(shi)(shi)英制品(pin)具有硬度大(da)、膨脹系數(shu)低(di)等特點，在耐高溫性、耐腐蝕(shi)性、透(tou)光性、化(hua) 學穩定性、電絕緣(yuan)性等方面表現良好。
網頁2022年(nian)6月29日? 在(zai)真空電(dian)弧(hu)法制(zhi)作石英坩(gan)堝的(de)(de)過(guo)程(cheng)中(zhong)，電(dian)弧(hu)的(de)(de)溫度對石英坩(gan)堝的(de)(de)質量影響(xiang)甚(shen)大(da)，主(zhu)要影響(xiang)包(bao)括(kuo)坩(gan)堝的(de)(de)內壁氣(qi)泡含量、純度(雜質含量)、抗高溫變形(xing)性(xing)能、玻(bo)璃化程(cheng)度等等，因(yin)此如何優化電(dian)弧(hu)的(de)(de)控(kong)制(zhi)，十分重要。 21根據本(ben)發明的(de)(de)較佳實施(shi)例，在(zai)整個熔制(zhi)過(guo)程(cheng)中(zhong)
網頁從液態轉(zhuan)變(bian)為(wei)固態的(de)過程首先要成核，然后生(sheng)長，這個過程叫晶(jing)粒的(de)成核長大。 晶(jing)粒內分子、原(yuan)子都(dou)是有規則地排列的(de)，所(suo)以(yi)一個晶(jing)粒就是單(dan)晶(jing)。 晶(jing)體(ti)生(sheng)長：所(suo)謂晶(jing)體(ti)生(sheng)長是物質在特定(ding)的(de)物理和化(hua)學條件下由氣相(xiang)、液相(xiang)或固相(xiang)形(xing)成晶(jing)體(ti)的(de)過程。 參考鏈(lian)接
網頁本研(yan)(yan)究通過(guo)模擬(ni)和(he)實(shi)驗研(yan)(yan)究了(le)TaC涂層和(he)石(shi)(shi)(shi)墨(mo)紙對SiC晶錠生(sheng)長過(guo)程的(de)影(ying)響，并與常規石(shi)(shi)(shi)墨(mo)坩堝中(zhong)的(de)生(sheng)長進行(xing)了(le)比較。我們證明了(le)使用(yong)TaC涂覆的(de)石(shi)(shi)(shi)墨(mo)中(zhong)繼(ji)環和(he)包圍石(shi)(shi)(shi)墨(mo)坩堝內壁的(de)石(shi)(shi)(shi)墨(mo)紙生(sheng)長的(de)晶體(ti)在晶體(ti)完整(zheng)性(xing)和(he)界面(mian)形狀方面(mian)表現出優異的(de)特性(xing)。
網頁2023年3月1日? 坩堝(guo)底部中間低、四周(zhou)高的斜坡形狀模仿cz單晶(jing)法(fa)的放肩(jian)過程，通過熱(re)場控制(zhi)(zhi)，可確保在坩堝(guo)底部實現(xian)單晶(jing)橫(heng) 向生產，直(zhi)至坩堝(guo)內(nei)壁，待單晶(jing)上表(biao)面和坩堝(guo)底部上端平齊后(hou)可通過熱(re)場控制(zhi)(zhi)實現(xian)晶(jing)體縱向生長。因(yin)此，本(ben)(ben)發明有助于降低單晶(jing)生長環節的成本(ben)(ben)，對光
網頁科學(xue)管理，實施過程控(kong)制 所用原料高純石(shi)(shi)英(ying)砂是(shi)石(shi)(shi)英(ying)坩堝純度的基礎。高溫(wen)下，不(bu)同(tong)雜(za)質(zhi)(zhi)由(you)于其物理特性不(bu)同(tong)而(er)在(zai)石(shi)(shi)英(ying)坩堝中的擴散(san)快(kuai)慢不(bu)同(tong)，但雜(za)質(zhi)(zhi)擴散(san)的現象(xiang)說明高品質(zhi)(zhi)石(shi)(shi)英(ying)砂的使(shi)用是(shi)單晶品質(zhi)(zhi)保障的關鍵。
網頁石(shi)英坩(gan)堝(guo)中的(de)(de)(de)羥(qian)(qian)基(ji) 返回首頁 坩(gan)堝(guo)中的(de)(de)(de)羥(qian)(qian)基(ji)（OH）是對坩(gan)堝(guo)強度(du)影響的(de)(de)(de)核心(xin)因素，由于羥(qian)(qian)基(ji)的(de)(de)(de)存在，改變了SiO2的(de)(de)(de)鍵合結構(gou)，致使(shi)坩(gan)堝(guo)的(de)(de)(de)耐溫(wen)性能(neng)大幅降低，例如坩(gan)堝(guo)中的(de)(de)(de)羥(qian)(qian)基(ji)含量超過150ppm，1050攝氏度(du)就會開始軟化變形，無法正常使(shi)用。
網(wang)頁2022年(nian)11月24日? 2022年(nian)歐晶科(ke)技(ji)研究報告，石英坩堝(guo)龍頭企業，下游需求旺盛。公(gong)司(si)業務主要涉及石英坩堝(guo)、硅材料的回收和清洗等，是為數不多(duo)的具備量 產(chan)(chan)大(da)尺寸石英坩堝(guo)能力的廠商之(zhi)一(yi)。歐晶科(ke)技(ji)成立于 2011 年(nian)，其石英坩堝(guo)產(chan)(chan)品于 2012 年(nian)開始規模化(hua)量產(chan)(chan)。公(gong)司(si)持續進行技(ji)術突破。
網頁2022年5月(yue)20日? q：在光伏硅片生產過程中，拉晶(jing)(jing)(jing)用(yong)的石(shi)(shi)英坩(gan)堝(guo)各層對于石(shi)(shi)英砂(sha)(sha)品(pin)質的要求和區別是(shi)(shi)什么？國內外(wai)石(shi)(shi)英塊價(jia)格(ge)和品(pin)質有什么不同？a：石(shi)(shi)英砂(sha)(sha)在單(dan)晶(jing)(jing)(jing)坩(gan)堝(guo)用(yong)的環節就是(shi)(shi)把多晶(jing)(jing)(jing)硅進(jin)行(xing)直拉法變成單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅棒(bang)在進(jin)行(xing)硅片的切(qie)割(ge)。砂(sha)(sha)子主要是(shi)(shi)用(yong)來作(zuo)單(dan)晶(jing)(jing)(jing)拉直過程中用(yong)的坩(gan)堝(guo)，砂(sha)(sha)現在一般主要分為三層，像進(jin)口的
網(wang)頁2021年11月30日? 認為除石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝外，光(guang)伏制造過程還需用到石(shi)英(ying)(ying)舟(zhou)、石(shi)英(ying)(ying)爐管和(he)舟(zhou)托架等(deng)其(qi)他石(shi)英(ying)(ying)制品。因(yin)此預(yu)計光(guang)伏用石(shi)英(ying)(ying)材料整(zheng)體空(kong)間大(da)于此次測算值， 2020 年市場規模預(yu)計在 20 億(yi)(yi)左(zuo)右（石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝約 12 億(yi)(yi)元，其(qi)他耗材約 8 億(yi)(yi)元）。此外，測算得(de)知高純石(shi)英(ying)(ying)砂需求(qiu)量
網頁單晶硅制備流程 直(zhi)拉法簡(jian)稱 cz 法。cz 法的(de)特(te)點是在一個直(zhi)筒型(xing)的(de)熱系(xi)統匯總，用(yong)石(shi)墨電阻加(jia)熱，將裝在高純度石(shi)英坩堝(guo)中的(de)多(duo)晶硅熔(rong)(rong)化，然后將籽晶插(cha)入熔(rong)(rong)體表面進行熔(rong)(rong)接，同時轉動籽晶，再反(fan)轉坩堝(guo)，籽晶緩慢(man)向上提(ti)升，經過引晶、放大、轉肩(jian)、等(deng)徑生長、收尾等(deng)過程，得
網頁6統計過程控(kong)制 4422打開塑料包裝袋，戴上潔凈(jing)的塑料手(shou)套取出石(shi)英坩(gan)(gan)堝，并(bing)檢查(cha)石(shi)英坩(gan)(gan)堝的標簽是(shi)否(fou)完好(hao)，石(shi)英坩(gan)(gan)堝是(shi)否(fou)有(you)裂紋、孔洞、表面不規則(ze)等，同時(shi)檢查(cha)內壁是(shi)否(fou)有(you)疵(ci)點、氣(qi)泡、劃(hua)道等，用戴著(zhu)手(shou)套的手(shou)指去觸摸內壁，檢查(cha)是(shi)否(fou)有(you)小(xiao)臟物，或表面
網頁2022年(nian)6月(yue)29日? 在(zai)真空電弧法制(zhi)作石(shi)英(ying)(ying)坩堝的(de)過(guo)程中(zhong)，電弧的(de)溫(wen)度(du)對石(shi)英(ying)(ying)坩堝的(de)質量影響(xiang)甚大，主要影響(xiang)包括坩堝的(de)內(nei)壁氣泡含量、純度(du)(雜質含量)、抗高溫(wen)變形性能、玻璃化(hua)程度(du)等(deng)等(deng)，因此如(ru)何優化(hua)電弧的(de)控制(zhi)，十分重(zhong)要。 21根據本(ben)發明的(de)較佳實施例，在(zai)整(zheng)個熔制(zhi)過(guo)程中(zhong)
網頁(ye)2022年5月11日(ri)? 石(shi)英坩堝熔制(zhi)裝置及制(zhi)備方法與流程(cheng)(cheng) 電極210開(kai)合度的(de)大小，通(tong)過(guo)(guo)控(kong)制(zhi)驅動件(jian)320，進(jin)一步的(de)實現(xian)對(dui)(dui)6根電極210之間產生的(de)電弧(hu)進(jin)行(xing)控(kong)制(zhi)，以此在熔融石(shi)英坩堝的(de)過(guo)(guo)程(cheng)(cheng)中對(dui)(dui)其(qi)穩定(ding)熔制(zhi)，進(jin)一步實現(xian)制(zhi)備大尺(chi)寸的(de)石(shi)英坩堝。
網頁2 ? 2023年石英砂行業深度報告， 從基礎原材(cai)料到戰略(lve)級(ji)資源。石英砂又稱(cheng)硅(gui)砂，是由天(tian)然水(shui)晶、石英礦物加(jia)工(gong)而(er)成(cheng)或化(hua)學合(he)成(cheng)的二氧化(hua)硅(gui)材(cai)料。 石英制品具(ju)有硬度大、膨(peng)脹系(xi)數低等特(te)點(dian)，在耐高(gao)溫(wen)性(xing)、耐腐蝕性(xing)、透(tou)光性(xing)、化(hua) 學穩定性(xing)、電絕緣(yuan)性(xing)等方面表現(xian)良好。
網頁從液(ye)態轉變(bian)為固(gu)態的過(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)首先要(yao)成核，然后生(sheng)長(chang)，這個過(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)叫(jiao)晶(jing)粒(li)(li)的成核長(chang)大。 晶(jing)粒(li)(li)內分(fen)子、原(yuan)子都是有規(gui)則地(di)排列(lie)的，所以一個晶(jing)粒(li)(li)就是單晶(jing)。 晶(jing)體(ti)(ti)生(sheng)長(chang)：所謂晶(jing)體(ti)(ti)生(sheng)長(chang)是物質(zhi)在特定(ding)的物理和(he)化學條件下(xia)由氣相(xiang)、液(ye)相(xiang)或(huo)固(gu)相(xiang)形(xing)成晶(jing)體(ti)(ti)的過(guo)程(cheng)(cheng)(cheng)。 參(can)考(kao)鏈接
網頁2011年5月23日? 坩堝 石英 電弧 法生(sheng)(sheng)產 真空 可(ke)行(xing)性 前言技術(shu)和(he)經濟(ji)的發展以及人(ren)口(kou)的增(zeng)長，使(shi)得人(ren)類對能源(yuan)的需求越(yue)來越(yue)大。 基于(yu)現(xian)在(zai)環境污染和(he)常規能源(yuan)短缺的雙(shuang)重危機，發展清(qing)潔(jie)的，可(ke)再(zai)生(sheng)(sheng)的新能源(yuan)的要求越(yue)來越(yue)迫(po)切。 太陽能具有豐富、清(qing)潔(jie)、可(ke)再(zai)生(sheng)(sheng)的優(you)點，受(shou)到了
網頁2018年(nian)11月29日? 石英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)在直拉單晶(jing)(jing)過程(cheng)中(zhong)受(shou)到(dao)加(jia)熱器的(de)加(jia)熱，石 英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)溫(wen)度升高，氣(qi)泡復合層(ceng)(ceng)(ceng)1的(de)設(she)置，使得石英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)內(nei)的(de)多(duo)晶(jing)(jing)硅原(yuan)料受(shou)熱均勻(yun)熔(rong)融，石英(ying) 坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)透(tou)明層(ceng)(ceng)(ceng)2上的(de)碳酸鋇(bei)(bei)涂(tu)層(ceng)(ceng)(ceng)受(shou)熱分解(jie)，形(xing)成(cheng)氧化鋇(bei)(bei)，氧化鋇(bei)(bei)與石英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)內(nei)的(de)透(tou)明層(ceng)(ceng)(ceng)2發生 反應，形(xing)成(cheng)硅酸鋇(bei)(bei)，由(you)于(yu)硅
網頁本(ben)研究通過(guo)(guo)模擬(ni)和(he)實(shi)驗(yan)研究了TaC涂層和(he)石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)紙(zhi)對SiC晶錠(ding)生長過(guo)(guo)程的(de)(de)(de)影響(xiang)，并與常規(gui)石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)坩堝中的(de)(de)(de)生長進行了比較。我們證明了使用TaC涂覆的(de)(de)(de)石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)中繼(ji)環和(he)包圍(wei)石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)坩堝內壁(bi)的(de)(de)(de)石(shi)(shi)(shi)墨(mo)(mo)紙(zhi)生長的(de)(de)(de)晶體(ti)在晶體(ti)完整性和(he)界面形(xing)狀方面表(biao)現出(chu)優異的(de)(de)(de)特性。
