如果你需要購(gou)買磨粉機(ji)，而且(qie)區分不了雷蒙(meng)磨與球磨機(ji)的區別，那(nei)么下面讓我(wo)來給你講解(jie)一下： 雷蒙(meng)磨和球磨機(ji)外(wai)形差(cha)異較大，雷蒙(meng)磨高(gao)達威猛，球磨機(ji)敦實個頭也不小(xiao)，但是二者(zhe)的工
隨著社會(hui)經(jing)濟的(de)快速發展，礦(kuang)石磨(mo)(mo)粉(fen)的(de)需(xu)求(qiu)量(liang)越來(lai)越大，傳統(tong)的(de)磨(mo)(mo)粉(fen)機已(yi)經(jing)不能滿(man)足生(sheng)(sheng)產(chan)的(de)需(xu)要(yao)，為了(le)(le)滿(man)足生(sheng)(sheng)產(chan)需(xu)求(qiu)，黎明重工加(jia)緊科(ke)研步伐，生(sheng)(sheng)產(chan)出了(le)(le)全自(zi)動智(zhi)能化(hua)環保節(jie)能立式磨(mo)(mo)粉(fen)
網頁2020年10月21日? 1碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)(gui)晶(jing)體(ti)生(sheng)長(chang)及加工關鍵(jian)設備(bei) 主要包括: 碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)(gui)粉料(liao)合(he)成設備(bei) 用于(yu)制備(bei)生(sheng)長(chang)碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)(gui)單晶(jing)所(suo)需的(de)碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)(gui)粉料(liao),高質(zhi)量的(de)碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)(gui)粉料(liao)在后(hou)續(xu)的(de)碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)(gui)生(sheng)長(chang)中對晶(jing)體(ti)
網頁2022年12月(yue)1日? 碳(tan)化硅工(gong)藝制造過程(cheng)中使用的典型高能離子注入設備主(zhu)要由離子源、等離子體、吸出組件、分析磁體、離子束、加(jia)速管、工(gong)藝腔和掃描盤(pan)組成，如圖2所示。 圖2 碳(tan)
網頁2023年2月27日? 關注碳化(hua)硅(gui)設備國產(chan)化(hua)突破(po)和(he)加速(su)——行業(ye)周(zhou)報 1、碳化(hua)硅(gui)是(shi)制(zhi)作(zuo)大功率、高頻、低損耗功率器件的最佳材(cai)料(liao) 與硅(gui)基半導(dao)體材(cai)料(liao)相比，碳化(hua)硅(gui)具備能量(liang)
網頁碳化硅（SiC）具有禁帶寬、臨界(jie)雪崩擊穿電(dian)場強度(du)高(gao)、電(dian)子(zi)飽和(he)漂(piao)移速度(du)高(gao)、熱導率高(gao)以及耐高(gao)溫、抗輻(fu)照和(he)耐腐蝕(shi)等特點，是制造高(gao)性能電(dian)力電(dian)子(zi)器件(jian)(jian)、大(da)功率固體微波器件(jian)(jian)和(he)
網頁2023年2月27日? 碳(tan)化硅晶(jing)(jing)圓和器件的制備基本(ben)(ben)工藝流程同硅基半(ban)導體基本(ben)(ben)一(yi)致，但部分工藝段(duan)使用(yong)專(zhuan)用(yong)設(she)(she)備，部分需(xu)要(yao)在硅設(she)(she)備基礎上加以(yi)改進。 根據該行(xing)梳理，目前長(chang)晶(jing)(jing)設(she)(she)備已
網頁2023年2月26日? 關注碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅設備(bei)國產(chan)化(hua)(hua)(hua)突(tu)破和(he)加(jia)速(su) 關注碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅設備(bei)國產(chan)化(hua)(hua)(hua)突(tu)破和(he)加(jia)速(su) ——行業周報 證書編號：S01
網頁碳化(hua)硅化(hua)學氣相沉積外延(yan)(yan)設備 碳化(hua)硅外延(yan)(yan)設備屬半導體(ti)設備領域，占據第三代(dai)半導體(ti)產(chan)業鏈上游關鍵(jian)環節。 我司碳化(hua)硅外延(yan)(yan)設備采用自主創新的結構設計，同(tong)時兼容6英寸(cun)、4英寸(cun)
網頁四、碳化硅產品加工(gong)(gong)(gong)工(gong)(gong)(gong)藝流(liu)程(cheng) 1、制砂生產線(xian)設(she)備組成 制砂生產線(xian)由(you)顎式破(po)碎(sui)機(ji)(ji)(ji)、對輥破(po)碎(sui)機(ji)(ji)(ji)、球磨機(ji)(ji)(ji)、清吹機(ji)(ji)(ji)、磁選(xuan)機(ji)(ji)(ji)、振 動篩和(he)皮帶機(ji)(ji)(ji)等設(she)備組合而成。 根據不同(tong)的工(gong)(gong)(gong)藝要求，
網頁2023年2月27日? 碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)產(chan)業資本開(kai)支加速，供應(ying)鏈安全(quan)可控助力國產(chan)碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)設(she)備(bei)廠(chang)商(shang)突圍 碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)晶(jing)圓和器件的制備(bei)基本工藝流程同硅(gui)(gui)基半導體基本一致(zhi)，但(dan)部分
網頁(ye)利用(yong)該設備開發了(le)(le)PVT法制備大直徑碳化硅(gui)晶(jing)(jing)體(ti)的(de)生(sheng)(sheng)長工藝(yi)，已成功制備直徑100mm、厚(hou)度超(chao)過(guo)25mm的(de)4HSiC體(ti)單晶(jing)(jing)，同時也掌握了(le)(le)SiC晶(jing)(jing)錠(ding)切、磨、拋的(de)基本(ben)技(ji)術，已在(zai)碳化硅(gui)晶(jing)(jing)體(ti)生(sheng)(sheng)長設備、生(sheng)(sheng)長工藝(yi)、熱場模(mo)擬分析、碳化硅(gui)材料表(biao)征(zheng)、晶(jing)(jing)片加工等(deng)方面積累了(le)(le)豐富(fu)的(de)研發
網頁2023年2月15日? 碳化(hua)(hua)硅(gui)(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電(dian)(dian)子器件的理(li)想電(dian)(dian)子材料,近20 年來隨著外延(yan)(yan)設(she)備(bei)和(he)工藝(yi)技術水平不(bu)斷 提(ti)升,外延(yan)(yan)膜生(sheng)長速率和(he)品質逐步提(ti)高,碳化(hua)(hua)硅(gui)在新能源汽車(che)、光伏產業、高壓輸配線和(he)智(zhi)能電(dian)(dian)站(zhan)等(deng)領(ling)域的應用需求 越(yue)來越(yue)大。 與硅(gui)半導(dao)體產業不(bu)同(tong),碳化(hua)(hua)
網(wang)頁碳(tan)化(hua)硅(gui)化(hua)學氣相沉積外(wai)(wai)(wai)(wai)延(yan)(yan)設備 碳(tan)化(hua)硅(gui)外(wai)(wai)(wai)(wai)延(yan)(yan)設備屬半(ban)導體設備領(ling)域，占據第三(san)代半(ban)導體產業(ye)鏈上(shang)游(you)關鍵環(huan)節。我司碳(tan)化(hua)硅(gui)外(wai)(wai)(wai)(wai)延(yan)(yan)設備采用(yong)自主創(chuang)新的(de)(de)結構設計，同時兼容6英寸(cun)、4英寸(cun)外(wai)(wai)(wai)(wai)延(yan)(yan)片生長，是一款(kuan)工(gong)藝指標優異、耗(hao)材成本低、維護(hu)頻率低的(de)(de)中國首臺完全自主創(chuang)新的(de)(de)碳(tan)化(hua)硅(gui)外(wai)(wai)(wai)(wai)延(yan)(yan)
網頁(ye)2023年2月27日? 碳化(hua)硅(gui)(gui)產(chan)(chan)業資本開支加速，供(gong)應鏈安全(quan)可控助力國(guo)產(chan)(chan)碳化(hua)硅(gui)(gui)設(she)備(bei)(bei)廠商(shang)突圍 碳化(hua)硅(gui)(gui)晶圓(yuan)和器件的制備(bei)(bei)基(ji)本工藝流程(cheng)同硅(gui)(gui)基(ji)半導體基(ji)本一致(zhi)，但部分工藝段(duan)使用專用設(she)備(bei)(bei)，部分需要在硅(gui)(gui)設(she)備(bei)(bei)基(ji)礎上(shang)加以改(gai)進。 根據該(gai)行梳理，目前(qian)長晶設(she)備(bei)(bei)已(yi)基(ji)本實現國(guo)產(chan)(chan)化(hua)，其(qi)
網(wang)頁碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)化(hua)(hua)學氣相沉積(ji)外延設(she)(she)備(bei)納設(she)(she)智能官方(fang)網(wang)站(zhan)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)外延設(she)(she)備(bei)屬半導(dao)(dao)體設(she)(she)備(bei)領域，占據第三代(dai)半導(dao)(dao)體產業鏈上(shang)游(you)關鍵環節。我司碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)外延設(she)(she)備(bei)采(cai)用自主創(chuang)新的結構設(she)(she)計，同時兼容6英(ying)(ying)寸、4英(ying)(ying)寸外延片生長，是一(yi)款(kuan)工藝指標優異、耗材成本低(di)、維護頻率低(di)的中(zhong)國首臺完全自主創(chuang)新的碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)外延設(she)(she)備(bei)。
網頁四、碳化(hua)硅產(chan)品加工工藝(yi)流程(cheng) 1、制砂(sha)生產(chan)線設備(bei)組(zu)成 制砂(sha)生產(chan)線由(you)顎(e)式(shi)破碎機、對輥破碎機、球磨(mo)機、清吹機、磁選機、振 動篩和(he)皮帶機等設備(bei)組(zu)合而成。 根據不同(tong)的(de)工藝(yi)要(yao)(yao)求，各種型號的(de)設備(bei)進行組(zu)合，滿足客戶(hu)的(de)不同(tong)工藝(yi)要(yao)(yao)求。 2、制砂(sha)生產(chan)線基(ji)本
網(wang)頁2022年4月(yue)9日(ri)? 報(bao)(bao)告(gao)(gao)主題(ti)：碳化(hua)硅外(wai)(wai)延，“初學者”該(gai)了解哪些(xie)？ 報(bao)(bao)告(gao)(gao)作者：Michael MacMillan（Epiluvac USA） 報(bao)(bao)告(gao)(gao)內(nei)容包含：（具體內(nei)容詳(xiang)見下方全部報(bao)(bao)告(gao)(gao)內(nei)容） 為什么碳化(hua)硅在電(dian)力電(dian)子(zi)領域備(bei)受(shou)關(guan)注？ SiC供應(ying)鏈概(gai)覽 SiC外(wai)(wai)延生長(chang)的(de)基本原理 碳化(hua)硅外(wai)(wai)延設備(bei) 外(wai)(wai)延的(de)表征技術
網頁2022年1月31日? 盛(sheng)美上(shang)海的(de) Ultra C 碳(tan)化硅(gui)清(qing)洗(xi)(xi)設備(bei)采用硫酸(suan)雙氧(yang)水混合物 (SPM) 進行(xing)(xing)表面氧(yang)化，并(bing)采用氫(qing)氟(fu)酸(suan) (HF) 去除殘留物，進行(xing)(xing)碳(tan)化硅(gui)晶(jing)圓的(de)清(qing)洗(xi)(xi)。該(gai)設備(bei)還集成盛(sheng)美上(shang)海的(de) SAPS 和(he) Megasonix? 技術(shu)實現更全(quan)面更深層次的(de)清(qing)洗(xi)(xi)。Ultra C 碳(tan)化硅(gui)清(qing)洗(xi)(xi)設備(bei)可提供(gong)行(xing)(xing)業領先(xian)的(de)清(qing)潔度
網頁近(jin)日，位于浙江市、北(bei)京市的3個碳化硅項(xiang)目均獲得喜人進(jin)展：清純(chun)(chun)半(ban)導(dao)體(ti)：研發基地正式啟用(yong)，具備支撐月產(chan)(chan)近(jin)千萬(wan)(wan)顆(ke)碳化硅器(qi)件的測試及篩選能(neng)力(li)。萃錦半(ban)導(dao)體(ti)：SiC模塊產(chan)(chan)品(pin)項(xiang)目開工(gong)，年產(chan)(chan)120萬(wan)(wan)只。晶(jing)格領域半(ban)導(dao)體(ti)：將擴(kuo)建液(ye)相法(fa)SiC襯底中試線(xian)。清純(chun)(chun)半(ban)導(dao)體(ti)SiC項(xiang)目啟用(yong)
網頁(ye)2022年4月24日? 本文(wen)基于對碳(tan)化(hua)硅材料燒(shao)結行為、顯微結構以及力學(xue)性能的(de)認識，綜述了(le)碳(tan)化(hua)硅燒(shao)結工(gong)藝(yi)的(de)發(fa)展及燒(shao)結助劑的(de)選擇標準，同時分析(xi)和介紹了(le)碳(tan)化(hua)硅陶(tao)瓷材料在傳統工(gong)業與現(xian)代(dai)科技(ji)領域的(de)應用現(xian)狀(zhuang)。 關(guan)鍵詞(ci)：碳(tan)化(hua)硅陶(tao)瓷；燒(shao)結技(ji)術；燒(shao)結助劑；碳(tan)化(hua)硅應用 0 引 言
網頁同時(shi)，碳化(hua)硅(gui)芯片主(zhu)要的工藝(yi)設(she)(she)備基本上被國外公司所(suo)壟斷，特別(bie)是高溫離子(zi)注入設(she)(she)備、超高溫退(tui)火設(she)(she)備和高質量氧化(hua)層生長設(she)(she)備等，國內大規模(mo)(mo)建立碳化(hua)硅(gui)工藝(yi)線所(suo)采用的關(guan)鍵設(she)(she)備基本需要進(jin)口。 2碳化(hua)硅(gui)功率模(mo)(mo)塊
網頁2018年11月13日，天岳(yue)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)材(cai)料項(xiang)目開(kai)(kai)工活動在長沙瀏陽高新區舉行，該項(xiang)目的落(luo)實(shi)標志著國內最大的第三代半(ban)導體碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)材(cai)料項(xiang)目及成套工藝生產線正式開(kai)(kai)建(jian)(jian)。 據悉(xi)，天岳(yue)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)材(cai)料項(xiang)目由(you)山東天岳(yue)晶體材(cai)料有限(xian)公司開(kai)(kai)發建(jian)(jian)設(she)，總投資(zi)30億(yi)元，項(xiang)目分兩期(qi)建(jian)(jian)設(she)
網頁2023年(nian)2月(yue)28日? 退火工(gong)藝經過近60年(nian)的發展，針對于不(bu)同技(ji)術節(jie)點、不(bu)同應用，已有5類退火設備。 傳(chuan)統(tong)的爐退火工(gong)藝的退火時(shi)長在(zai)小時(shi)量級，常用于材料改性、應力
網頁2023年2月27日? 碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)產業資本開支加速，供(gong)應(ying)鏈安(an)全可控助力國產碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)設備廠商突圍 碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)晶圓(yuan)和器(qi)件(jian)的制備基(ji)本工藝流(liu)程同(tong)硅(gui)基(ji)半導體基(ji)本一(yi)致，但(dan)部分(fen)
網頁碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)芯(xin)片主要的工藝設(she)(she)備基(ji)本上(shang)被國外(wai)公(gong)司所壟斷(duan)，特(te)別是高(gao)溫離子(zi)注入設(she)(she)備、超高(gao)溫退火設(she)(she)備和高(gao)質量氧(yang)化(hua)(hua)(hua)層生(sheng)長設(she)(she)備等，國內大規模(mo)建立碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)工藝線所采用的關鍵設(she)(she)備基(ji)本需要進口。 碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)器件高(gao)端檢測設(she)(she)備被國外(wai)所壟斷(duan)。 4、碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)功率模(mo)塊(kuai)
網(wang)頁利用(yong)該設備(bei)(bei)開發了(le)PVT法制備(bei)(bei)大直徑碳化硅晶(jing)體(ti)的(de)(de)生(sheng)長工藝(yi)，已(yi)成功(gong)制備(bei)(bei)直徑100mm、厚度超過25mm的(de)(de)4HSiC體(ti)單(dan)晶(jing)，同時也掌握(wo)了(le)SiC晶(jing)錠切、磨、拋(pao)的(de)(de)基本技(ji)術，已(yi)在碳化硅晶(jing)體(ti)生(sheng)長設備(bei)(bei)、生(sheng)長工藝(yi)、熱場模擬分(fen)析、碳化硅材料表征、晶(jing)片加工等方面積累了(le)豐富(fu)的(de)(de)研發
網頁2023年2月27日? 碳(tan)化(hua)硅產(chan)業資本開支加速，供應鏈安全(quan)可控助力國產(chan)碳(tan)化(hua)硅設(she)(she)(she)備(bei)(bei)廠商突圍 碳(tan)化(hua)硅晶(jing)圓和器件(jian)的制備(bei)(bei)基(ji)(ji)本工(gong)藝(yi)流程同硅基(ji)(ji)半導體基(ji)(ji)本一致，但部分(fen)工(gong)藝(yi)段使用專用設(she)(she)(she)備(bei)(bei)，部分(fen)需要(yao)在硅設(she)(she)(she)備(bei)(bei)基(ji)(ji)礎上加以改進。 根據該行梳理，目前(qian)長晶(jing)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)已基(ji)(ji)本實(shi)現(xian)國產(chan)化(hua)，其(qi)
網(wang)(wang)頁碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅化(hua)(hua)學氣相沉積外(wai)延設(she)備(bei)(bei)納設(she)智能官(guan)方網(wang)(wang)站碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅外(wai)延設(she)備(bei)(bei)屬半導體設(she)備(bei)(bei)領域(yu)，占據第三代半導體產業鏈上游(you)關鍵環(huan)節(jie)。我司碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅外(wai)延設(she)備(bei)(bei)采用自(zi)主(zhu)創(chuang)新的結構設(she)計，同時兼容(rong)6英(ying)(ying)寸(cun)、4英(ying)(ying)寸(cun)外(wai)延片生(sheng)長，是一款工藝(yi)指標優(you)異、耗(hao)材成本低、維護頻(pin)率低的中國首臺完(wan)全自(zi)主(zhu)創(chuang)新的碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅外(wai)延設(she)備(bei)(bei)。
網頁(ye)碳化(hua)硅(gui)化(hua)學氣相沉積外(wai)延(yan)(yan)(yan)設備(bei)(bei) 碳化(hua)硅(gui)外(wai)延(yan)(yan)(yan)設備(bei)(bei)屬(shu)半(ban)導體(ti)設備(bei)(bei)領域，占據(ju)第(di)三(san)代半(ban)導體(ti)產業鏈上游(you)關鍵環節。我司碳化(hua)硅(gui)外(wai)延(yan)(yan)(yan)設備(bei)(bei)采(cai)用(yong)自主(zhu)創(chuang)新(xin)的結構設計，同時兼容(rong)6英寸、4英寸外(wai)延(yan)(yan)(yan)片生長，是一款工(gong)藝指(zhi)標優(you)異、耗材(cai)成本低、維護頻率(lv)低的中國(guo)首臺完全自主(zhu)創(chuang)新(xin)的碳化(hua)硅(gui)外(wai)延(yan)(yan)(yan)
網頁2022年4月24日? 本文基(ji)于對碳(tan)(tan)化硅材料(liao)(liao)燒(shao)(shao)結行為、顯微結構以及(ji)(ji)力學性能的(de)認(ren)識，綜述了(le)碳(tan)(tan)化硅燒(shao)(shao)結工藝的(de)發展(zhan)及(ji)(ji)燒(shao)(shao)結助劑的(de)選(xuan)擇標準，同時分(fen)析和介紹(shao)了(le)碳(tan)(tan)化硅陶瓷材料(liao)(liao)在(zai)傳(chuan)統(tong)工業與(yu)現代科(ke)技領(ling)域(yu)的(de)應用現狀。 關鍵詞：碳(tan)(tan)化硅陶瓷；燒(shao)(shao)結技術；燒(shao)(shao)結助劑；碳(tan)(tan)化硅應用 0 引 言(yan)
網頁2022年1月31日? 盛美(mei)上(shang)海的(de) Ultra C 碳(tan)化(hua)硅清(qing)洗(xi)(xi)設備(bei)(bei)采用硫酸(suan)雙氧水混合物 (SPM) 進(jin)行表面(mian)氧化(hua)，并采用氫氟(fu)酸(suan) (HF) 去(qu)除(chu)殘留物，進(jin)行碳(tan)化(hua)硅晶圓(yuan)的(de)清(qing)洗(xi)(xi)。該設備(bei)(bei)還(huan)集成盛美(mei)上(shang)海的(de) SAPS 和 Megasonix? 技術實(shi)現更全面(mian)更深層(ceng)次的(de)清(qing)洗(xi)(xi)。Ultra C 碳(tan)化(hua)硅清(qing)洗(xi)(xi)設備(bei)(bei)可提(ti)供行業領先的(de)清(qing)潔度
網頁2023年2月28日? 退(tui)火(huo)(huo)工藝經過近60年的(de)(de)(de)發展(zhan)，針對于不(bu)同技術節點(dian)、不(bu)同應(ying)用，已有5類退(tui)火(huo)(huo)設備(bei)。 傳統的(de)(de)(de)爐退(tui)火(huo)(huo)工藝的(de)(de)(de)退(tui)火(huo)(huo)時長在小時量級，常用于材料改性(xing)、應(ying)力
網頁近日(ri)，位于浙(zhe)江(jiang)市、北京市的(de)3個碳化硅項目均獲得(de)喜人進展：清純半導體：研發基地正(zheng)式啟用，具備支撐(cheng)月產(chan)近千萬(wan)(wan)顆碳化硅器件的(de)測試及篩選能力。萃錦半導體：SiC模塊產(chan)品項目開工，年產(chan)120萬(wan)(wan)只。晶格領域半導體：將擴建液相法SiC襯(chen)底(di)中試線。清純半導體SiC項目啟用
網(wang)頁2021年11月19日(ri)? 03SiC外(wai)延(yan)(yan)片制備技術 碳(tan)化硅(gui)外(wai)延(yan)(yan)兩(liang)大主要技術發展，應用在設(she)備上。 1980年提出的(de)臺階流生長模型 此對(dui)外(wai)延(yan)(yan)的(de)發展、對(dui)外(wai)延(yan)(yan)的(de)質量都起到了(le)非常重要的(de)作用。 它(ta)的(de)出現首(shou)先是生長溫度，可以在相對(dui)低的(de)溫度下實(shi)現生長，同(tong)時對(dui)于(yu)我們功率器(qi)件(jian)感興(xing)趣
網頁一文看懂碳(tan)化(hua)(hua)硅（SiC）產業鏈(lian) 半(ban)導體產業的(de)基石是芯片，制作(zuo)芯片的(de)核心(xin)材(cai)(cai)料(liao)(liao)按照歷史進程分為三代：第(di)一代半(ban)導體材(cai)(cai)料(liao)(liao)大部分為目(mu)前廣泛使用的(de)高純(chun)度硅，第(di)二代化(hua)(hua)合物半(ban)導體材(cai)(cai)料(liao)(liao)包括砷化(hua)(hua)鎵、磷化(hua)(hua)銦，第(di)三代化(hua)(hua)合物半(ban)導體材(cai)(cai)料(liao)(liao)以碳(tan)化(hua)(hua)硅和氮(dan)化(hua)(hua)鎵為代表
網頁在眾(zhong)多的(de)(de)(de)半(ban)導(dao)(dao)體材料(liao)中(zhong)，碳(tan)化硅 (Silicon Carbide, 簡(jian)稱(cheng)SiC)以其良(liang)好(hao)的(de)(de)(de)物理和電(dian)(dian)學性(xing)能成(cheng)為繼承(cheng)鍺、硅、砷化鎵之(zhi)后新一代微電(dian)(dian)子器(qi)件和電(dian)(dian)路的(de)(de)(de)半(ban)導(dao)(dao)體材料(liao)。 表(biao)1列出(chu)了幾種重要半(ban)導(dao)(dao)體材料(liao)的(de)(de)(de)基本(ben)特性(xing)比(bi)較，從中(zhong)我(wo)們可(ke)以看出(chu)SiC與傳統的(de)(de)(de)半(ban)導(dao)(dao)體材料(liao)相(xiang)比(bi)所具有的(de)(de)(de)優越
網頁2019年9月11日? 碳化硅(gui)(gui)芯(xin)片(pian)主要的工(gong)藝(yi)設(she)(she)備(bei)(bei)基本上被國外公司所(suo)壟斷，特別是(shi)高(gao)溫(wen)離子注入設(she)(she)備(bei)(bei)、超高(gao)溫(wen)退火設(she)(she)備(bei)(bei)和高(gao)質(zhi)量氧化層生(sheng)長設(she)(she)備(bei)(bei)等，國內大規模建立(li)碳化硅(gui)(gui)工(gong)藝(yi)線(xian)所(suo)采用的關(guan)鍵設(she)(she)備(bei)(bei)基本需要進口。 碳化硅(gui)(gui)器件高(gao)端檢測設(she)(she)備(bei)(bei)被國外所(suo)壟斷。 4 碳化硅(gui)(gui)功率模塊(kuai)
網頁碳(tan)(tan)化硅芯片主(zhu)要(yao)的工(gong)藝(yi)設(she)(she)(she)(she)備(bei)基本上被(bei)國外公司所壟斷，特(te)別(bie)是高溫離子注入(ru)設(she)(she)(she)(she)備(bei)、超高溫退(tui)火設(she)(she)(she)(she)備(bei)和高質(zhi)量氧(yang)化層生(sheng)長(chang)設(she)(she)(she)(she)備(bei)等，國內(nei)大規模建(jian)立(li)碳(tan)(tan)化硅工(gong)藝(yi)線所采用(yong)的關鍵設(she)(she)(she)(she)備(bei)基本需要(yao)進口。 碳(tan)(tan)化硅器件(jian)高端檢測設(she)(she)(she)(she)備(bei)被(bei)國外所壟斷。 4、碳(tan)(tan)化硅功率模塊
網頁2022年4月24日(ri)? 本文基于(yu)對碳(tan)(tan)化硅材(cai)料(liao)燒結行為(wei)、顯微結構以及力學(xue)性(xing)能的認識，綜(zong)述了(le)碳(tan)(tan)化硅燒結工藝的發展及燒結助劑的選擇標準，同時(shi)分析(xi)和介紹了(le)碳(tan)(tan)化硅陶瓷(ci)材(cai)料(liao)在傳統工業與現代(dai)科技領(ling)域的應(ying)用現狀(zhuang)。 關鍵詞：碳(tan)(tan)化硅陶瓷(ci)；燒結技術；燒結助劑；碳(tan)(tan)化硅應(ying)用 0 引(yin) 言
網頁(ye)2023年2月27日? 碳化(hua)硅產業資本開支加速，供應鏈安(an)全(quan)可控助力國產碳化(hua)硅設備(bei)廠(chang)商突圍 碳化(hua)硅晶圓和器件的(de)制備(bei)基本工藝(yi)流程同硅基半導體基本一致，但部(bu)分
網頁(ye)利用該(gai)設(she)備(bei)(bei)開發了(le)PVT法制備(bei)(bei)大直徑碳化硅(gui)晶(jing)體(ti)的(de)生(sheng)長工(gong)藝，已成功制備(bei)(bei)直徑100mm、厚度超(chao)過25mm的(de)4HSiC體(ti)單(dan)晶(jing)，同時也掌握了(le)SiC晶(jing)錠切、磨、拋(pao)的(de)基本技術，已在碳化硅(gui)晶(jing)體(ti)生(sheng)長設(she)備(bei)(bei)、生(sheng)長工(gong)藝、熱場模擬分析(xi)、碳化硅(gui)材(cai)料(liao)表(biao)征、晶(jing)片加工(gong)等方面積累(lei)了(le)豐富(fu)的(de)研發
網頁(ye)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅化(hua)(hua)學氣相沉積外(wai)延(yan)設(she)(she)備納設(she)(she)智能官方網站碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅外(wai)延(yan)設(she)(she)備屬(shu)半(ban)(ban)導體(ti)設(she)(she)備領域，占據(ju)第三代半(ban)(ban)導體(ti)產業鏈上游關鍵環節。我司碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅外(wai)延(yan)設(she)(she)備采(cai)用自主創新的(de)(de)結(jie)構設(she)(she)計，同(tong)時兼容6英寸、4英寸外(wai)延(yan)片生長，是一(yi)款(kuan)工藝(yi)指標優(you)異、耗材成(cheng)本低、維護(hu)頻率低的(de)(de)中國(guo)首臺完全(quan)自主創新的(de)(de)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅外(wai)延(yan)設(she)(she)備。
網頁在眾多的(de)半導體(ti)(ti)材料中，碳(tan)化(hua)硅 (Silicon Carbide, 簡稱SiC)以(yi)其良好(hao)的(de)物(wu)理(li)和電學性能(neng)成為(wei)繼承鍺、硅、砷化(hua)鎵(jia)之后(hou)新一代微(wei)電子器件和電路(lu)的(de)半導體(ti)(ti)材料。 表1列出(chu)了幾種重要半導體(ti)(ti)材料的(de)基本特性比較(jiao)，從中我們可(ke)以(yi)看出(chu)SiC與傳統的(de)半導體(ti)(ti)材料相(xiang)比所具(ju)有的(de)優越
網頁2021年11月19日? 03SiC外(wai)延片制備技(ji)術(shu) 碳化硅外(wai)延兩大主要(yao)技(ji)術(shu)發(fa)展(zhan)，應用(yong)在設備上(shang)。 1980年提出(chu)的(de)臺階流(liu)生長(chang)(chang)模型(xing) 此對(dui)外(wai)延的(de)發(fa)展(zhan)、對(dui)外(wai)延的(de)質量都起到了非常重(zhong)要(yao)的(de)作用(yong)。 它的(de)出(chu)現(xian)首先是生長(chang)(chang)溫度，可(ke)以(yi)在相對(dui)低的(de)溫度下實(shi)現(xian)生長(chang)(chang)，同時對(dui)于我們功率器件(jian)感興趣
網頁近日，位于(yu)浙江市、北京(jing)市的(de)3個(ge)碳化硅項(xiang)目均獲得喜人(ren)進展：清(qing)純(chun)半(ban)導體(ti)(ti)：研發基地正式啟用，具備支撐月產(chan)近千萬顆碳化硅器(qi)件的(de)測試及篩選能力。萃錦(jin)半(ban)導體(ti)(ti)：SiC模塊(kuai)產(chan)品項(xiang)目開工，年產(chan)120萬只(zhi)。晶格領域半(ban)導體(ti)(ti)：將擴建液(ye)相法SiC襯底中(zhong)試線(xian)。清(qing)純(chun)半(ban)導體(ti)(ti)SiC項(xiang)目啟用
網(wang)頁2023年2月28日? 退火(huo)工藝經過近60年的發展(zhan)，針(zhen)對于(yu)不同技術節點、不同應用，已有5類退火(huo)設備。 傳(chuan)統的爐退火(huo)工藝的退火(huo)時長在小時量級，常用于(yu)材料(liao)改性、應力
網頁2020年3月24日? 碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅生產工藝(yi) 1/6 分步閱讀(du) 常見的(de)(de)方法是將石英砂(sha)與焦(jiao)炭混合，利用其中的(de)(de)二氧(yang)化(hua)(hua)(hua)硅和石油焦(jiao)，加(jia)入(ru)食鹽和木(mu)屑，置(zhi)入(ru)電爐中，加(jia)熱到(dao)2000°C左(zuo)右高(gao)溫，經過各種(zhong)化(hua)(hua)(hua)學工藝(yi)流程后得到(dao)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅微粉。 2/6 碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅因(yin)其很大的(de)(de)硬(ying)度(du)而成為(wei)一種(zhong)重要的(de)(de)磨料，但其
網頁2023年2月17日(ri)? 據科(ke)友半(ban)導體消息， 在(zai)14日(ri)舉辦的寬(kuan)禁帶半(ban)導體材料技(ji)術成果鑒(jian)定會(hui)上，哈爾濱科(ke)友半(ban)導體產(chan)業裝備與技(ji)術研究院有限公(gong)司（以(yi)下簡稱“科(ke)友半(ban)導體”）“8英寸碳化硅長晶設(she)備及工藝(yi)”通過中(zhong)國電子學會(hui)科(ke)技(ji)成果鑒(jian)定。 資料顯示，科(ke)友半(ban)導體是(shi)一家專注(zhu)于第三
網(wang)(wang)頁2021年12月21日? 《碳化硅(gui)冶(ye)煉(lian)工(gong)藝(yi)設(she)(she)計(ji)(ji)(共(gong)16頁)docx》由會員分享，可在線閱讀，更(geng)多相關《碳化硅(gui)冶(ye)煉(lian)工(gong)藝(yi)設(she)(she)計(ji)(ji)(共(gong)16頁)docx（18頁珍藏版）》請在新文庫網(wang)(wang)上搜索。 2、課程設(she)(she)計(ji)(ji)的內容和要(yao)(yao)(yao)求（包括(kuo)原始(shi)數據、技術要(yao)(yao)(yao)求、工(gong)作要(yao)(yao)(yao)求等）設(she)(she)計(ji)(ji)內容：（1）設(she)(she)備選(xuan)型；（2）工(gong)藝(yi)控制
網頁2022年1月31日(ri)? 盛(sheng)美上海(hai)的(de)(de) Ultra C 碳化(hua)硅清洗設備(bei)采(cai)用硫酸雙(shuang)氧水混合(he)物(wu) (SPM) 進行(xing)表面氧化(hua)，并(bing)采(cai)用氫氟酸 (HF) 去除殘(can)留物(wu)，進行(xing)碳化(hua)硅晶圓(yuan)的(de)(de)清洗。該設備(bei)還集成盛(sheng)美上海(hai)的(de)(de) SAPS 和 Megasonix? 技術實現更(geng)全(quan)面更(geng)深層次的(de)(de)清洗。Ultra C 碳化(hua)硅清洗設備(bei)可(ke)提(ti)供行(xing)業領(ling)先的(de)(de)清潔度
網(wang)頁2019年6月28日? sic的(de)制作(zuo)工藝 sic，由于天然含量甚少(shao)，碳化硅主要(yao)多為人(ren)造。 常見的(de)方法是將石英砂與焦炭混(hun)合，利用其中的(de)二氧化硅和石油(you)焦，加(jia)入食鹽和木屑，置(zhi)入電爐(lu)中，加(jia)熱(re)到2000°C左(zuo)右高溫，經過(guo)各種化學工藝流(liu)程(cheng)后得到碳化硅微粉。 碳化硅 (SiC)因其很大的(de)
