如果你需(xu)要購買磨(mo)粉機，而(er)且區分不了雷(lei)蒙(meng)磨(mo)與(yu)球磨(mo)機的(de)區別(bie)，那么下面讓(rang)我來給你講解一下： 雷(lei)蒙(meng)磨(mo)和球磨(mo)機外形(xing)差異較大(da)，雷(lei)蒙(meng)磨(mo)高達(da)威猛，球磨(mo)機敦實個(ge)頭也(ye)不小，但是二者的(de)工
隨著(zhu)社會(hui)經(jing)濟的快(kuai)速發(fa)展(zhan)，礦石磨粉的需(xu)(xu)求量越來越大(da)，傳(chuan)統的磨粉機已經(jing)不(bu)能滿(man)足生(sheng)產的需(xu)(xu)要，為了滿(man)足生(sheng)產需(xu)(xu)求，黎(li)明重工加緊科研步(bu)伐(fa)，生(sheng)產出了全自動智能化環保節能立(li)式(shi)磨粉
網頁特(te)(te)點 氮化硅是(shi)一種(zhong)灰色陶(tao)瓷，耐熱沖擊性(xing)(xing)優異(yi)，對熔(rong)融(rong)金屬有(you)相(xiang)對難滲透(tou)的性(xing)(xing)質。 利用(yong)這些特(te)(te)點，用(yong)于汽車(che)發動機(ji)零件(jian)等內燃機(ji)配件(jian)、焊接(jie)機(ji)吹管噴嘴等，特(te)(te)別是(shi)需要被使用(yong)在過(guo)
網頁2022年5月27日? 一、氮(dan)化(hua)硅陶(tao)瓷(ci)(ci)粉體(ti)的造粒方法 在工業生產中，氮(dan)化(hua)硅陶(tao)瓷(ci)(ci)粉體(ti)造粒方法主(zhu)要有干(gan)法輥壓(ya)造粒技(ji)術、冷等靜壓(ya)技(ji)術、噴(pen)霧造粒技(ji)術等。 與其他氧(yang)化(hua)物陶(tao)瓷(ci)(ci)粉體(ti)相
網(wang)頁2021年6月(yue)25日? 氮化硅陶瓷具(ju)有較高的室溫(wen)彎(wan)曲強度， 斷裂(lie)韌(ren)性(xing)值處(chu)于(yu)中上游(you)水平(ping)， 比如(ru)熱(re)壓(ya)Si 3 N 4強度可達1000MPa以上， 斷裂(lie)韌(ren)性(xing)約為6MPa m1/2 ， 重燒結(jie)氮化硅性(xing)能亦已(yi)達與之相近的水平(ping)。 si 3 N 4 陶瓷的高溫(wen)
網頁(ye)2022年5月27日(ri)? 一、氮化(hua)(hua)硅(gui)陶(tao)瓷(ci)粉體(ti)(ti)的造粒(li)方法 在工(gong)業生產中，氮化(hua)(hua)硅(gui)陶(tao)瓷(ci)粉體(ti)(ti)造粒(li)方法主要有干(gan)法輥壓(ya)造粒(li)技術(shu)、冷等靜壓(ya)技術(shu)、噴霧(wu)造粒(li)技術(shu)等。 與其他(ta)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)陶(tao)瓷(ci)粉體(ti)(ti)相(xiang)
網頁2021年6月24日? 氮化硅 (Si3N4）是斷裂韌性(xing)(xing)高、耐(nai)熱(re)沖擊性(xing)(xing)強(qiang)的材料，近(jin)年來常(chang)被用作(zuo)模具的替代材料。 耐(nai)熱(re)沖擊性(xing)(xing) 高溫機械強(qiang)度 耐(nai)磨(mo)耗性(xing)(xing) 耐(nai)腐(fu)蝕性(xing)(xing) 電絕緣性(xing)(xing) 高韌性(xing)(xing) 主要用
網頁氮化硅鄂式(shi)(shi)破(po)(po)碎(sui)(sui)機(ji)(ji) 氧(yang)化鋯鄂式(shi)(shi)破(po)(po)碎(sui)(sui)機(ji)(ji) 鉻鋼鄂式(shi)(shi)破(po)(po)碎(sui)(sui)機(ji)(ji) 顎式(shi)(shi)破(po)(po)碎(sui)(sui)機(ji)(ji)分為復擺(bai)鄂式(shi)(shi)破(po)(po)碎(sui)(sui)機(ji)(ji)和簡擺(bai)鄂式(shi)(shi)破(po)(po)碎(sui)(sui)機(ji)(ji)，用(yong)于粗、中(zhong)碎(sui)(sui)。 鶴壁天鑫(xin)生產(chan)用(yong)于細(xi)碎(sui)(sui)的復擺(bai)顎式(shi)(shi)破(po)(po)碎(sui)(sui)機(ji)(ji)和破(po)(po)碎(sui)(sui)高強(qiang)度高
網頁2022年3月28日? 氮(dan)(dan)化硅(gui)陶瓷(ci)空(kong)心直(zhi)筒管的(de)(de)特點 氮(dan)(dan)化硅(gui)陶瓷(ci)是一種(zhong)優(you)異的(de)(de)耐腐蝕材料 氮(dan)(dan)化硅(gui)陶瓷(ci)由于是鍵強高的(de)(de)共價化合(he)物，并在空(kong)氣中(zhong)能形成(cheng)氧化物保護膜，所以還具有良好的(de)(de)
網頁濰坊正(zheng)遠粉體(ti)工程設備(bei)有限公(gong)司將(jiang)以推進粉體(ti)制(zhi)備(bei)水平為己任，始(shi)終(zhong)將(jiang)自主技(ji)術研(yan)發(fa)(fa)和產(chan)品創新改(gai)造放在(zai)企業發(fa)(fa)展(zhan)首位，并不斷開發(fa)(fa)更(geng)新的技(ji)術和產(chan)品，以更(geng)好地為粉體(ti)行業的發(fa)(fa)展(zhan)
網頁氮化硅顎(e)式破(po)碎機(ji) 氮化硅顎(e)式破(po)碎機(ji) 即鄂板(ban)(ban)和襯板(ban)(ban)為(wei)氮化硅材(cai)質(zhi)，進料口(kou)、出料口(kou)采(cai)用(yong)pp非(fei)金屬材(cai)料。其(qi)工作方式為(wei)曲動(dong)(dong)擠壓型，由電動(dong)(dong)機(ji)驅動(dong)(dong)皮帶(dai)和皮帶(dai)輪，通過偏心軸使動(dong)(dong)顎(e)
網頁各種(zhong)規格硅(gui)粉，碳酸氫(qing)鈉小蘇(su)打，粉碎(sui)(sui)(sui)加工，粉碎(sui)(sui)(sui)設備，技術咨詢 敬請(qing)垂詢 李欽稿 承德氮化硅(gui)粉末成型燒制硅(gui)粉2N機械粉碎(sui)(sui)(sui)設備生產線 時間： 02:20:52
網頁2022年2月8日? 英國對氮化硅(gui)的(de)研究工(gong)作(zuo)始于1953年，目的(de)是(shi)為了(le)制造燃氣渦輪機的(de)高(gao)溫(wen)零件。由(you)此使(shi)得鍵合氮化硅(gui)和熱壓氮化硅(gui)得到發(fa)展(zhan)。 1971 把(ba)氮化硅(gui)粉末粘(zhan)合起(qi)來可通過添加一些(xie)其他物質比如燒結助劑(ji)或粘(zhan)合劑(ji)誘導(dao)氮化硅(gui)在較低的(de)溫(wen)度下發(fa)生一定程度的(de)液相燒結后粘(zhan)
網(wang)頁氮(dan)化(hua)(hua)硅（Si 3 N 4) 是氧化(hua)(hua)物(wu)和非(fei)氧化(hua)(hua)物(wu)組中(zhong)性(xing)能最高的技術陶(tao)(tao)瓷之一。 它于(yu) 1960 年代首次開發，當(dang)時材料(liao)(liao)科學(xue)與(yu)工程被(bei)公認(ren)為(wei)與(yu)冶(ye)金(jin)學(xue)具(ju)有可比價值的研究(jiu)(jiu)領域。 60 年代和 70 年代大多數陶(tao)(tao)瓷研究(jiu)(jiu)的基本目標是開發具(ju)有高強度和韌性(xing)的緊湊型工程材料(liao)(liao)。 氮(dan)化(hua)(hua)硅在所有方面都取得了成功(gong)。 氮(dan)化(hua)(hua)硅—化(hua)(hua)學(xue)與(yu)顯微結構 氮(dan)化(hua)(hua)硅是一種以三種不同(tong)晶相存(cun)在的陶(tao)(tao)瓷：α
網頁氮化(hua)硅(gui) (Si3N4)是一(yi)種由硅(gui)和氮組成(cheng)的(de)共價鍵(jian)化(hua)合物，1857年被發現(xian)，到1955年，其作為陶(tao)瓷材料(liao)實(shi)現(xian)了大(da)規模生產(chan)。 氮化(hua)硅(gui)陶(tao)瓷具(ju)有金屬材料(liao)和高分子材料(liao)所(suo)不具(ju)備(bei)的(de)眾多優點(dian)，如耐(nai)高溫 (在1200℃下抗彎強(qiang)度可達(da)350MPa以上)、耐(nai)酸(suan)堿腐(fu)蝕、自(zi)潤(run)滑等，在航空航天、國防軍(jun)工、機械領(ling)域得到廣(guang)泛應用(yong)。 氮化(hua)硅(gui)陶(tao)瓷，來源(yuan)：中材高新 制備(bei)氮化(hua)硅(gui)陶(tao)瓷材料(liao)首先(xian)
網(wang)頁碳化(hua)鎢顎式(shi)破碎(sui)機(ji)(ji) 氮化(hua)硅(gui)顎式(shi)破碎(sui)機(ji)(ji) 氧化(hua)鎬顎式(shi)破碎(sui)機(ji)(ji)氧化(hua)鋯,剛玉,碳化(hua)鎢,氮化(hua)硅(gui),非金(jin)屬(shu)顎式(shi)破碎(sui)機(ji)(ji)用于高(gao)純(chun)材料(liao)(liao)的潔凈(jing)(jing)破碎(sui),避免其他元素混(hun)入物料(liao)(liao),不含金(jin)屬(shu)離子污染(ran),保(bao)證(zheng)物料(liao)(liao)的高(gao)純(chun)度和(he)潔凈(jing)(jing)度。 具有極高(gao)的耐(nai)磨損、抗腐(fu)蝕、抗沖擊、耐(nai)高(gao)溫特點。 其破碎(sui)方(fang)式(shi)為(wei)曲動擠壓(ya)式(shi),依靠兩塊各種不同材質顎板(ban)和(he)襯(chen)板(ban)將物料(liao)(liao)擠碎(sui)。 被破碎(sui)物料(liao)(liao)應(ying)為(wei)脆性,破碎(sui)后的物料(liao)(liao)均(jun)勻
網頁2009年6月(yue)10日? 這說明(ming)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)LPCVD爐管工藝(yi)的(de)(de)(de)(de)particle數量和氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)薄膜的(de)(de)(de)(de)累積厚度相關（圖5）。 根據以(yi)上(shang)的(de)(de)(de)(de)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)工藝(yi)中particle的(de)(de)(de)(de)分析中可以(yi)得知(zhi)：為了解(jie)決(jue)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)生(sheng)產過程中的(de)(de)(de)(de)particle問(wen)題，必須要(yao)解(jie)決(jue)的(de)(de)(de)(de)是如何避(bi)免腔體內壁上(shang)的(de)(de)(de)(de)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)薄膜的(de)(de)(de)(de)剝落(luo)的(de)(de)(de)(de)問(wen)題。
網頁(ye)2018年2月27日? 正(zheng)是由于氮化硅具(ju)有(you)如此優異的特性，常常被用來制造(zao)軸承、氣輪機(ji)(ji)葉(xie)片、機(ji)(ji)械密(mi)封(feng)環、永(yong)久性模具(ju)、發動機(ji)(ji)部(bu)件(jian)等(deng)機(ji)(ji)械構件(jian)；氮化硅陶(tao)瓷材料可用于高溫(wen)工(gong)程的部(bu)件(jian)，高級耐火材料，化工(gong)工(gong)業(ye)中(zhong)抗(kang)腐蝕部(bu)件(jian)和(he)(he)密(mi)封(feng)部(bu)件(jian)，機(ji)(ji)械加工(gong)工(gong)業(ye)的刀具(ju)和(he)(he)刃具(ju)等(deng)。 此外，氮化硅還能(neng)應(ying)用到飛機(ji)(ji)引擎(qing)、軍(jun)工(gong)、高鐵等(deng)行業(ye)，具(ju)有(you)較好的市場前景。 宇(yu)陶(tao)瓷材料
網頁氮化(hua)硅（si3n4）因其重量輕、剛性高，可用于制造滾珠(zhu)軸承。它(ta)比金屬軸承精度更高，產生的熱量更少。此外，它(ta)可以(yi)在高溫和腐(fu)蝕性介質(zhi)中運(yun)行。氮化(hua)硅陶瓷(ci)蒸汽噴嘴具有耐磨、耐熱的特點(dian)。近年來，當(dang)用于650的鍋爐時，幾(ji)個月后(hou)沒(mei)有出現明顯(xian)的損壞。
網頁(ye)阿里巴巴為您找到(dao)22條關于光(guang)伏硅(gui)粉(fen)(fen)生產(chan)(chan)商(shang)的(de)工商(shang)注冊年(nian)份、員工人數、年(nian)營(ying)(ying)業(ye)額、信用記(ji)錄、主營(ying)(ying)產(chan)(chan)品、相關光(guang)伏硅(gui)粉(fen)(fen)產(chan)(chan)品的(de)供求信息、交易(yi)記(ji)錄等企業(ye)詳情。
網頁2023年2月27日? Intel倡導全新綠色商用電(dian)腦理(li)(li)念：小機箱內大天地、氮化(hua)鎵(jia)電(dian)源神了 低碳(tan)節(jie)能(neng)、綠色環保，是(shi)這個時代的(de)(de)大勢(shi)所(suo)趨。 我們天天面對的(de)(de)電(dian)腦，也許要更綠色。 近日，Intel聯(lian)(lian)合(he)行(xing)業合(he)作伙伴，正式(shi)宣布綠色低碳(tan)理(li)(li)念在 PC 領域的(de)(de)新實踐，聯(lian)(lian)合(he)清華同方、宏碁
網頁阿里(li)巴巴為您找到58個今日最(zui)新的硅(gui)(gui)鉻(ge)鋼(gang)(gang)價(jia)格(ge),硅(gui)(gui)鉻(ge)鋼(gang)(gang)批(pi)發價(jia)格(ge)等行情(qing)走勢(shi),您還可(ke)以找市場價(jia)格(ge)、批(pi)發價(jia)格(ge)等相(xiang)關產(chan)品(pin)(pin)的價(jia)格(ge)信息(xi)。阿里(li)巴巴也提供相(xiang)關硅(gui)(gui)鉻(ge)鋼(gang)(gang)供應商的簡介(jie)，主營產(chan)品(pin)(pin)，圖(tu)片，銷(xiao)量等全(quan)方(fang)位信息(xi)，為您訂(ding)購產(chan)品(pin)(pin)提供全(quan)方(fang)位的價(jia)格(ge)參考。
網頁目前氮(dan)化(hua)(hua)硅陶(tao)(tao)瓷(ci)應用(yong)(yong)需求不斷擴大(da)， 數(shu)據(ju)顯示(shi) ，2019年全球氮(dan)化(hua)(hua)硅陶(tao)(tao)瓷(ci)市(shi)場規模(mo)(mo)達到(dao)21億(yi)美元(yuan)，同(tong)比上年增長(chang)55%，預計(ji)到(dao)2025年底市(shi)場規模(mo)(mo)將達到(dao)31億(yi)美元(yuan)。 值得注意的是，隨著(zhu)氮(dan)化(hua)(hua)硅陶(tao)(tao)瓷(ci)市(shi)場規模(mo)(mo)持續增長(chang)，氮(dan)化(hua)(hua)硅陶(tao)(tao)瓷(ci)3d打(da)印在工業領域(yu)的應用(yong)(yong)也在不斷加大(da)，從氮(dan)化(hua)(hua)硅下游行業需求占(zhan)比來看， 航空
網頁阿里巴(ba)巴(ba)為(wei)您(nin)找(zhao)到(dao)106條關于硅(gui)粒(li)生產商(shang)的工商(shang)注冊年份(fen)、員工人(ren)數(shu)、年營業(ye)額、信用記錄(lu)、主(zhu)營產品(pin)、相關硅(gui)粒(li)產品(pin)的供求信息(xi)、交易記錄(lu)等企業(ye)詳情(qing)。您(nin)還可以找(zhao)高壓硅(gui)粒(li)等公(gong)司(si)信息(xi)。
網頁2017年10月2日(ri)? 世界上最先進(jin)(jin)的(de)(de)(de)光刻(ke)(ke)機由(you)(you)荷蘭ASML公司(si)生(sheng)產(chan)(chan)。 該公司(si)又(you)由(you)(you)英(ying)特爾、三(san)星(xing)、臺積電等芯片(pian)生(sheng)產(chan)(chan)商控股。 根(gen)據瓦森納(na)協議，這種最先進(jin)(jin)制程的(de)(de)(de)光刻(ke)(ke)機對中國禁(jin)運(yun)。 所(suo)以，中國目前仍(reng)然沒有(you)能力(li)生(sheng)產(chan)(chan)出10納(na)米(mi)的(de)(de)(de)芯片(pian)。 只能進(jin)(jin)口二手光刻(ke)(ke)機或(huo)制程超(chao)過28納(na)米(mi)的(de)(de)(de)光
網頁(ye)2022年5月21日? 氮(dan)化硅(gui) (Si3N4)是(shi)一種由硅(gui)和氮(dan)組成的共價(jia)鍵化合物，1857年被發現，到(dao)1955年，其作為陶瓷(ci)材(cai)(cai)料(liao)實現了大規模(mo)生產。 氮(dan)化硅(gui)陶瓷(ci)具(ju)有金屬(shu)材(cai)(cai)料(liao)和高分子材(cai)(cai)料(liao)所(suo)不具(ju)備(bei)的眾多優點，如(ru)耐(nai)高溫(wen) (在1200℃下(xia)抗彎強度可(ke)達350MPa以上)、耐(nai)酸(suan)堿腐蝕、自潤滑等，在航空(kong)航天、國防(fang)軍(jun)工、機(ji)械領域(yu)得到(dao)廣(guang)泛應用。 氮(dan)化硅(gui)陶瓷(ci)，來源(yuan)：中材(cai)(cai)高新 制備(bei)
網頁(ye)氮化(hua)硅(gui)（Si 3 N 4) 是氧化(hua)物和非氧化(hua)物組中性(xing)能最(zui)高的(de)技術(shu)陶瓷(ci)之一(yi)。 它于 1960 年(nian)(nian)代(dai)首次開發(fa)，當(dang)時(shi)材料科學(xue)與工(gong)程被公認為與冶金學(xue)具(ju)有可(ke)比價(jia)值(zhi)的(de)研究領域(yu)。 60 年(nian)(nian)代(dai)和 70 年(nian)(nian)代(dai)大多數陶瓷(ci)研究的(de)基(ji)本(ben)目標是開發(fa)具(ju)有高強度(du)和韌(ren)性(xing)的(de)緊湊(cou)型工(gong)程材料。 氮化(hua)硅(gui)在所有方面都取得了成功。 氮化(hua)硅(gui)—化(hua)學(xue)與顯微結(jie)構 氮化(hua)硅(gui)是一(yi)種(zhong)以三種(zhong)不同晶相存在的(de)陶瓷(ci)：α
網頁氮(dan)化硅(gui) (Si3N4)是一種由硅(gui)和氮(dan)組成的共價鍵化合物，1857年被發現，到1955年，其作為陶(tao)瓷材(cai)料實現了(le)大規模生產(chan)。 氮(dan)化硅(gui)陶(tao)瓷具(ju)有金屬材(cai)料和高分子材(cai)料所(suo)不具(ju)備(bei)的眾多優點，如耐(nai)(nai)高溫 (在1200℃下抗彎強度可達350MPa以上)、耐(nai)(nai)酸(suan)堿腐蝕、自潤滑(hua)等，在航(hang)空航(hang)天(tian)、國防(fang)軍(jun)工(gong)、機械(xie)領(ling)域(yu)得(de)到廣(guang)泛(fan)應用。 氮(dan)化硅(gui)陶(tao)瓷，來源(yuan)：中材(cai)高新 制備(bei)氮(dan)化硅(gui)陶(tao)瓷材(cai)料首先
網頁(ye)2021年11月21日? 氮化(hua)硅粉體有(you)三種(zhong)(zhong)代(dai)表性的生產(chan)(chan)方法(fa)：一是熱分解(jie)法(fa)，屬大(da)化(hua)工工藝，產(chan)(chan)品純度(du)(du)(du)高(gao)(gao)、粒(li)度(du)(du)(du)細，但(dan)工藝復(fu)雜；二是硅粉氮化(hua)法(fa)，技(ji)術難(nan)度(du)(du)(du)低，反應好控制(zhi)，但(dan)能(neng)耗(hao)高(gao)(gao)、成本高(gao)(gao)；三是燃燒(shao)合成法(fa)，產(chan)(chan)品純度(du)(du)(du)高(gao)(gao)、設備(bei)簡(jian)單(dan)、能(neng)耗(hao)低、生產(chan)(chan)效率高(gao)(gao)，但(dan)技(ji)術難(nan)度(du)(du)(du)極高(gao)(gao)，不(bu)易控制(zhi)。 “第一種(zhong)(zhong)方法(fa)投資很大(da)，創業階段做不(bu)了。 第二種(zhong)(zhong)方法(fa)能(neng)耗(hao)高(gao)(gao)，未來沒有(you)前景
網頁2009年6月10日? 這說明氮(dan)化硅LPCVD爐管工藝的(de)(de)(de)particle數量(liang)和氮(dan)化硅薄膜的(de)(de)(de)累積厚度相關（圖5）。 根據以上的(de)(de)(de)氮(dan)化硅工藝中particle的(de)(de)(de)分析中可以得知(zhi)：為了(le)解決氮(dan)化硅生產過程中的(de)(de)(de)particle問題，必(bi)須(xu)要(yao)解決的(de)(de)(de)是如何避免腔體內壁(bi)上的(de)(de)(de)氮(dan)化硅薄膜的(de)(de)(de)剝落(luo)的(de)(de)(de)問題。
網頁(ye)2020年5月19日? 氮(dan)化硅是一種(zhong)具有良好的(de)耐(nai)(nai)磨、耐(nai)(nai)高(gao)溫、耐(nai)(nai)蝕性(xing)的(de)合成耐(nai)(nai)火(huo)原(yuan)材(cai)料(liao)。 在耐(nai)(nai)火(huo)材(cai)料(liao)的(de)應用中，主要以結(jie)合相的(de)形式(shi)出現。 1、氮(dan)化硅的(de)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)結(jie)構(gou) Si3N4 有兩(liang)(liang)種(zhong)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)結(jie)構(gou)：αSi3N4為顆粒狀結(jie)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)，βSi3N4為針狀結(jie)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(見圖 1) 。 兩(liang)(liang)者(zhe)都(dou)是[SN4]四(si)面(mian)體(ti)共用頂角構(gou)成的(de)三維空間網絡，均(jun)屬于六方晶(jing)(jing)(jing)系(xi)。 它們的(de)差別在于[SiN4]四(si)面(mian)體(ti)層的(de)排(pai)列(lie)順序(xu)上(shang)。 β
網頁氮(dan)化硅(gui)(gui)（si3n4）因其(qi)重(zhong)量輕(qing)、剛性(xing)(xing)高，可(ke)用(yong)于(yu)制造(zao)滾珠(zhu)軸承(cheng)(cheng)。它比金(jin)屬軸承(cheng)(cheng)精度更高，產生的(de)(de)熱量更少。此(ci)外(wai)，它可(ke)以在高溫和腐蝕性(xing)(xing)介(jie)質中運行。氮(dan)化硅(gui)(gui)陶瓷蒸(zheng)汽噴嘴具(ju)有耐磨、耐熱的(de)(de)特點。近(jin)年來(lai)，當用(yong)于(yu)650的(de)(de)鍋爐時，幾(ji)個月后沒有出現明顯的(de)(de)損壞。
網頁(ye)2017年10月2日(ri)? 世(shi)界上最先(xian)進的(de)光刻機由(you)荷(he)蘭ASML公司生(sheng)產(chan)。 該公司又由(you)英特(te)爾、三星、臺(tai)積(ji)電等芯片生(sheng)產(chan)商控股(gu)。 根據瓦森納協(xie)議，這種(zhong)最先(xian)進制程的(de)光刻機對中(zhong)國禁運。 所以，中(zhong)國目前仍然(ran)沒有能(neng)力生(sheng)產(chan)出10納米(mi)的(de)芯片。 只能(neng)進口二手(shou)光刻機或制程超過(guo)28納米(mi)的(de)光
網頁(ye)阿里巴(ba)巴(ba)為您找到22條關于光(guang)伏硅粉(fen)生產商的(de)工商注冊(ce)年份、員工人數、年營(ying)(ying)業(ye)額、信用記(ji)錄(lu)、主營(ying)(ying)產品、相關光(guang)伏硅粉(fen)產品的(de)供(gong)求(qiu)信息、交易記(ji)錄(lu)等企業(ye)詳情。
網(wang)頁2023年2月27日? Intel倡導全新(xin)綠(lv)色(se)商用電腦(nao)理(li)念(nian)：小(xiao)機箱(xiang)內大天地、氮化鎵電源神了 低(di)碳節能、綠(lv)色(se)環保，是(shi)這個(ge)時代(dai)的大勢所趨。 我們天天面對的電腦(nao)，也許要更綠(lv)色(se)。 近日，Intel聯合(he)行業合(he)作伙伴，正式宣布綠(lv)色(se)低(di)碳理(li)念(nian)在 PC 領域的新(xin)實(shi)踐，聯合(he)清(qing)華同方、宏碁
網頁阿(a)里巴(ba)巴(ba)為您(nin)找到58個今(jin)日最新的(de)硅(gui)鉻鋼價(jia)格,硅(gui)鉻鋼批發價(jia)格等行(xing)情走勢,您(nin)還可以找市場價(jia)格、批發價(jia)格等相關(guan)產(chan)品(pin)的(de)價(jia)格信(xin)息。阿(a)里巴(ba)巴(ba)也提(ti)(ti)供(gong)相關(guan)硅(gui)鉻鋼供(gong)應商的(de)簡(jian)介，主營產(chan)品(pin)，圖片，銷量等全(quan)方(fang)位信(xin)息，為您(nin)訂購產(chan)品(pin)提(ti)(ti)供(gong)全(quan)方(fang)位的(de)價(jia)格參考。
網頁2022年2月8日? 英(ying)國對氮(dan)(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)的(de)研究工作始于1953年，目的(de)是為了(le)制造(zao)燃氣(qi)渦(wo)輪機的(de)高溫(wen)零件。由此使得鍵合(he)氮(dan)(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)和熱壓氮(dan)(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)得到(dao)發展。 1971 把氮(dan)(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)粉末(mo)粘合(he)起來可(ke)通過添(tian)加一(yi)些其(qi)他物質比如燒結(jie)助劑或粘合(he)劑誘導氮(dan)(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)在較低的(de)溫(wen)度下(xia)發生一(yi)定程度的(de)液相燒結(jie)后(hou)粘
網頁阿(a)里巴巴為您找到106條關于硅(gui)粒生產商的工(gong)商注冊(ce)年份(fen)、員工(gong)人數、年營業額、信(xin)用記(ji)錄(lu)、主營產品(pin)、相關硅(gui)粒產品(pin)的供求信(xin)息、交易(yi)記(ji)錄(lu)等(deng)企(qi)業詳情。您還可(ke)以找高(gao)壓硅(gui)粒等(deng)公司信(xin)息。
網頁(ye)氮化(hua)(hua)硅陶(tao)瓷基(ji)板在國(guo)內從大學、科(ke)研機構到(dao)陶(tao)瓷企(qi)業，從大型國(guo)企(qi)到(dao)民營股份企(qi)業，氮化(hua)(hua)硅陶(tao)瓷基(ji)板及其配(pei)套(tao)研磨、覆銅(tong)等配(pei)套(tao)技術，都取(qu)得了可喜的研究(jiu)和生產成績。 對(dui)于對(dui)高可靠性、散熱以及局部放電有要(yao)求的汽車、風力渦輪機、牽引系統和高壓(ya)直流
網頁2020年8月12日? 簡單(dan)小(xiao)(xiao)結一(yi)(yi)下，多(duo)層(ceng)氮(dan)化硅波(bo)(bo)導提供了一(yi)(yi)個新的維度進(jin)行(xing)光(guang)器件的設計，也(ye)可(ke)以完(wan)成光(guang)信(xin)號在(zai)三(san)維波(bo)(bo)導結構中(zhong)的互聯。 SiN波(bo)(bo)導的熱光(guang)系數小(xiao)(xiao)、加(jia)工容(rong)差性強(qiang)、可(ke)工作在(zai)可(ke)見光(guang)波(bo)(bo)段(duan)等優(you)勢也(ye)使得(de)其在(zai)一(yi)(yi)些(xie)特定器件中(zhong)性能優(you)于(yu)Si波(bo)(bo)導。 但是(shi)光(guang)信(xin)號的調制與探測還(huan)是(shi)必須通過Si波(bo)(bo)導來完(wan)成。 因(yin)此，SiN波(bo)(bo)導可(ke)以作為Si波(bo)(bo)導一(yi)(yi)個比較好的補充，用于(yu)一(yi)(yi)些(xie)
網頁2021年11月21日? 氮化(hua)硅粉體有(you)三種代表性的生產方(fang)(fang)法(fa)：一是熱分解法(fa)，屬大化(hua)工(gong)工(gong)藝，產品(pin)純度(du)高(gao)、粒(li)度(du)細，但工(gong)藝復雜；二(er)是硅粉氮化(hua)法(fa)，技(ji)術難(nan)度(du)低，反應好控制，但能(neng)耗高(gao)、成本高(gao)；三是燃燒合成法(fa)，產品(pin)純度(du)高(gao)、設備(bei)簡單、能(neng)耗低、生產效率高(gao)，但技(ji)術難(nan)度(du)極高(gao)，不易控制。 “第一種方(fang)(fang)法(fa)投(tou)資很大，創業階段做(zuo)不了。 第二(er)種方(fang)(fang)法(fa)能(neng)耗高(gao)，未(wei)來沒有(you)前景
網頁2009年6月10日? 利用N2 purge對石(shi)英壁上氮化(hua)硅薄膜有(you)效清(qing)除(chu)的(de)(de)現象，合理(li)利用機(ji)(ji)臺生(sheng)產的(de)(de)間(jian)歇期(qi)，通(tong)過(guo)N2來(lai)帶走可能在未(wei)來(lai)生(sheng)產過(guo)程中(zhong)剝落下來(lai)的(de)(de)氮化(hua)硅薄膜，成(cheng)功(gong)地(di)解決了氮化(hua)硅生(sheng)產中(zhong)的(de)(de)particle問(wen)題。 實(shi)際生(sheng)產中(zhong)的(de)(de)結果顯(xian)示(shi)，particle總數成(cheng)功(gong)地(di)從(cong)2038顆(ke)降低至1319顆(ke)，機(ji)(ji)臺的(de)(de)維護周期(qi)從(cong)24μm延長至32μm。 該方案既提高了機(ji)(ji)臺的(de)(de)性能，又成(cheng)功(gong)地(di)降低了
網頁2020年5月(yue)21日(ri)? 2、氮化硅的(de)化學性(xing)能： ①抗氧化性(xing)：800℃以下干(gan)燥氣氛中不(bu)與(yu)氧反應； ②抗熔融金屬(shu)腐(fu)蝕性(xing)：氮化硅對單質金屬(shu)融液（除銅外(wai)）不(bu)浸(jin)潤，不(bu)受腐(fu)蝕； ③抗酸(suan)堿鹽腐(fu)蝕性(xing)：易(yi)溶于氫氟酸(suan)，與(yu)稀酸(suan)不(bu)起作用。 3、氮化硅的(de)機械性(xing)能： ①高(gao)溫(wen)(wen)強度好，1200℃高(gao)溫(wen)(wen)強度與(yu)室溫(wen)(wen)強度相比(bi)衰減不(bu)大，另外(wai)，它的(de)高(gao)溫(wen)(wen)蠕變率(lv)很低。 這些都是由強共價鍵本(ben)
網頁(ye)氮(dan)化硅陶(tao)瓷(ci)基板在國內從大學、科研機構到陶(tao)瓷(ci)企業(ye)，從大型(xing)國企到民(min)營股份(fen)企業(ye)，氮(dan)化硅陶(tao)瓷(ci)基板及(ji)其配套研磨、覆銅等(deng)配套技術，都取得(de)了(le)可(ke)喜的研究和生產成績。 對(dui)于對(dui)高可(ke)靠性(xing)、散熱以及(ji)局部放電有要求的汽車、風(feng)力渦輪機、牽引系統和高壓直流
網頁(ye)2021年4月(yue)17日? 保證氮(dan)(dan)化(hua)硅球(qiu)超(chao)精密大規模生(sheng)產的基本(ben)要點(dian)有(you)： (1)氮(dan)(dan)化(hua)硅球(qiu)表面實(shi)現等概(gai)率磨削(xue)(xue)加(jia)工，亦即(ji)保證球(qiu)面上每個質(zhi)點(dian)都有(you)相同(tong)的研(yan)磨概(gai)率； (2)磨削(xue)(xue)效率具有(you)自(zi)動尺寸選(xuan)擇性(xing)，亦即(ji)大球(qiu)或者長(chang)軸方(fang)向自(zi)動實(shi)現優(you)先磨削(xue)(xue)； (3)研(yan)磨技術容易實(shi)現大規模工業(ye)化(hua)低(di)成本(ben)生(sheng)
網頁2017年3月19日? 22Si3N4薄(bo)膜的濕法刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)221濕法刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)原理氮化(hua)硅(gui)是一種(zhong)具有很(hen)高(gao)的化(hua)學(xue)穩定性(xing)的絕緣材料，它(ta)比二氧化(hua)硅(gui)更加耐酸(suan)，除HF和熱磷(lin)酸(suan)能緩慢地(di)腐(fu)蝕(shi)(shi)它(ta)外(wai)，其他的酸(suan)幾乎不(bu)與它(ta)反應222PECVD做Si3N4濕法刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)a）使(shi)用設備：清洗機b）腐(fu)蝕(shi)(shi)試驗條件：1）高(gao)溫腐(fu)蝕(shi)(shi)液：HF：NH4F（溶液）=1：5T=371=1min～2min2）低(di)溫腐(fu)蝕(shi)(shi)液：
網頁氮化硅（si3n4）因其重量(liang)輕(qing)、剛性高(gao)，可(ke)用于(yu)制造滾珠軸承(cheng)。它比金(jin)屬軸承(cheng)精度更高(gao)，產(chan)生的熱量(liang)更少(shao)。此外，它可(ke)以在高(gao)溫和腐(fu)蝕性介質中(zhong)運行(xing)。氮化硅陶瓷蒸汽(qi)噴嘴具(ju)有耐磨、耐熱的特點。近年來，當(dang)用于(yu)650的鍋(guo)爐時(shi)，幾個月后沒有出現明顯的損(sun)壞。
網頁阿里巴巴為(wei)您找到22條關于光(guang)伏硅粉生產商(shang)的工(gong)商(shang)注冊年份(fen)、員工(gong)人(ren)數、年營業額(e)、信(xin)用(yong)記錄、主營產品、相關光(guang)伏硅粉產品的供(gong)求信(xin)息、交易(yi)記錄等企業詳情。
網頁2023年2月27日? Intel倡導全新(xin)綠(lv)色商(shang)用電腦(nao)理念(nian)：小(xiao)機(ji)箱內(nei)大天地(di)、氮化鎵(jia)電源神了(le) 低碳節能、綠(lv)色環保，是這個(ge)時代的大勢所趨。 我(wo)們天天面對的電腦(nao)，也許要更(geng)綠(lv)色。 近日，Intel聯(lian)合(he)行(xing)業合(he)作伙(huo)伴，正式(shi)宣布綠(lv)色低碳理念(nian)在 PC 領域的新(xin)實踐，聯(lian)合(he)清華同方、宏碁
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網頁2015年5月31日? 氮化硅薄膜(mo)性質(zhi)(zhi)SiNx的優(you)點：優(you)良的表面鈍化效果(guo)高效的光學減反(fan)射(she)(she)性能(neng)（厚度(du)和(he)折射(she)(she)率(lv)匹配）低溫工藝(yi)（有效降(jiang)低成(cheng)(cheng)本(ben)）含氫SiNx:H可(ke)以對mcSi提(ti)供(gong)體鈍化為(wei)了(le)提(ti)高生成(cheng)(cheng)膜(mo)的質(zhi)(zhi)量,需要對襯底加溫。 這樣可(ke)使(shi)成(cheng)(cheng)膜(mo)在(zai)到達(da)襯底后具有一定(ding)的表面遷移能(neng)力(li),在(zai)位能(neng)最低的位置結合到襯底上去,使(shi)所(suo)形成(cheng)(cheng)薄膜(mo)內應力(li)較小,結構(gou)致密,具有良好的鈍化性能(neng)。
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網頁2022年1月17日? 關于(yu)(yu)氮化(hua)硅(gui)和二氧化(hua)硅(gui)層上的(de)金屬去除，先前的(de)研究表明，通(tong)過蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)幾埃的(de)受污染材料(liao)可(ke)以實現非常(chang)有效的(de)清洗(xi)，通(tong)過為多晶硅(gui)蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)和晶圓變薄而開發的(de)濕蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)化(hua)學方(fang)法，可(ke)以獲得最高的(de)硅(gui)蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)速率（每幾微(wei)米），這些化(hua)學物質通(tong)常(chang)是HF/HNO3混(hun)合物、FNPS (HF/HNO3/H3po4/h2so4)或商(shang)業(ye)解決方(fang)案，如(ru)默克紡絲機?系列(lie),然而，由(you)于(yu)(yu)蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)的(de)
網頁2022年2月(yue)8日? 對單(dan)質硅(gui)(gui)(gui)(gui)的(de)粉(fen)末進行滲(shen)氮處理的(de)合(he)(he)成方法是在(zai)二(er)(er)十世紀50年代(dai)隨著對氮化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)的(de)重新“發(fa)現(xian)”而(er)開發(fa)出(chu)來的(de)。 也是第(di)一種用(yong)(yong)于大量(liang)生產(chan)(chan)氮化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)粉(fen)末的(de)方法。 但如果使用(yong)(yong)的(de)硅(gui)(gui)(gui)(gui)原(yuan)料純度(du)低會使得(de)生產(chan)(chan)出(chu)的(de)氮化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)含(han)有雜(za)質硅(gui)(gui)(gui)(gui)酸鹽和(he)鐵。 用(yong)(yong)二(er)(er)胺分解(jie)法合(he)(he)成的(de)氮化(hua)硅(gui)(gui)(gui)(gui)是無定形態(tai)的(de)，需要進一步在(zai)14001500°C的(de)氮氣下(xia)做退火處理才能將之轉(zhuan)化(hua)為晶態(tai)粉(fen)末，目
