如(ru)果你需要(yao)購買磨粉(fen)機(ji)，而且(qie)區分不了雷蒙磨與球(qiu)磨機(ji)的(de)區別，那(nei)么(me)下(xia)面讓我來給你講解一(yi)下(xia)： 雷蒙磨和球(qiu)磨機(ji)外形差異較大，雷蒙磨高(gao)達威(wei)猛，球(qiu)磨機(ji)敦(dun)實個頭也(ye)不小，但是二者的(de)工
隨著社會(hui)經濟的快(kuai)速(su)發展，礦石磨粉(fen)的需求(qiu)量越(yue)來越(yue)大，傳(chuan)統(tong)的磨粉(fen)機已(yi)經不能滿足生(sheng)產(chan)的需要，為(wei)了滿足生(sheng)產(chan)需求(qiu)，黎明重工(gong)加緊科研步伐，生(sheng)產(chan)出了全自(zi)動(dong)智能化環保節能立(li)式磨粉(fen)
網(wang)頁碳(tan)化(hua)硅具有(you)代表性的結晶(jing)相(xiang)是6H型，一般來(lai)說純粹的6H型碳(tan)化(hua)硅是無色(se)(se)(se)透(tou)明的，市(shi)場上實際銷售的碳(tan)化(hua)硅有(you)各種顏色(se)(se)(se)(多數是黑色(se)(se)(se)和(he)綠(lv)色(se)(se)(se))。 顏色(se)(se)(se)是受雜質影(ying)響的，其中(zhong)純度高的看
網頁2021年8月5日(ri)??浙江大學先進半導(dao)體研究(jiu)院寬(kuan)禁代半導(dao)體材料(liao)(liao)（碳(tan)化(hua)硅、氮化(hua)鎵(jia)） 以碳(tan)化(hua)硅和氮化(hua)鎵(jia)為代表的寬(kuan)禁帶(dai)半導(dao)體材料(liao)(liao)，突破(po)原(yuan)有半導(dao)體材料(liao)(liao)在大功率、高(gao)(gao)頻、高(gao)(gao)速、
網頁2020年6月10日??碳(tan)化硅是用天然硅石(shi)、碳(tan)、木屑、工業鹽作基本合成(cheng)原料(liao)，在電阻(zu)爐中加(jia)熱反應(ying)(ying)合成(cheng)。 其(qi)中加(jia)入木屑是為了使塊狀混合物(wu)在高(gao)溫下(xia)形成(cheng)多孔(kong)性，便于反應(ying)(ying)產生(sheng)的大
網頁2022年12月1日??其中碳化硅(gui)因其優(you)越的(de)(de)(de)物理性能：高(gao)禁(jin)帶寬度、高(gao)電導率、高(gao)熱導率，有望(wang)成為未來最被廣泛使用(yong)的(de)(de)(de)制(zhi)作(zuo)半導體芯片(pian)的(de)(de)(de)基礎材料(liao)。 SiC 器件的(de)(de)(de)制(zhi)造是保證其優(you)良應
網頁2021年8月(yue)30日??綠(lv)碳化硅(gui)(gui)的(de)(de)生產工(gong)藝(yi)： 綠(lv)碳化硅(gui)(gui)制造方法同黑色碳化硅(gui)(gui)，但采用的(de)(de)原材料(liao)純度(du)要(yao)求較高(gao)，也(ye)在電阻(zu)爐中2200°C左右的(de)(de)高(gao)溫下形(xing)成，綠(lv)色，呈半透(tou)明(ming)狀(zhuang)，六(liu)方晶形(xing)，
網頁非(fei)晶材料 5～10 木(mu)屑 2～6 3～11 未反應料 25～35 在碳(tan)化硅的生產過程中，回(hui)爐料的要求：包括(kuo)無(wu)定形料、二級料，應滿足下(xia)列(lie)SiC
網頁(ye)2019年6月28日??sic的(de)制作(zuo)工藝(yi) sic，由(you)于天然含量甚少，碳化硅主(zhu)要多為(wei)人造(zao)。 常見的(de)方法是將(jiang)石(shi)英(ying)砂(sha)與焦炭混合，利用其中的(de)二(er)氧化硅和(he)石(shi)油焦，加入食鹽和(he)木屑，置入電爐
網頁碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)產業鏈也可分為三個環節(jie)：分別(bie)是上(shang)游襯底，中游外延片和(he)下游器(qi)件(jian)制造。 圖表來(lai)源(yuan)：中信證券(quan) 碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)上(shang)游 襯底 碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)在半導體中存在的主要形(xing)式(shi)是作為襯底材(cai)料。碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅(gui)晶片作為半導體襯底材(cai)料，長(chang)晶難(nan)度
網頁(ye)2022年12月1日??其中碳(tan)化(hua)硅因(yin)其優(you)越的(de)物理性能：高(gao)禁帶寬度、高(gao)電導(dao)率、高(gao)熱導(dao)率，有望成為未來最被廣(guang)泛使用(yong)的(de)制作(zuo)半導(dao)體芯片(pian)的(de)基礎(chu)材料。 SiC 器(qi)件的(de)制造(zao)是保證其優(you)良應用(yong)的(de)關鍵，本文將(jiang)詳細介紹SiC器(qi)件制造(zao)的(de)離子注入(ru)工藝和激活退火工藝。 離子注入(ru)是一種向(xiang)半
網頁2019年(nian)6月28日(ri)??sic概述，金(jin)剛砂(sha)又名碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)（SiC）是用石(shi)(shi)英砂(sha)、石(shi)(shi)油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)時需(xu)要加(jia)食鹽）等(deng)(deng)原(yuan)料通(tong)過電阻爐高溫冶煉而成。碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)在(zai)大自然(ran)也存(cun)在(zai)罕見的礦(kuang)物，莫(mo)桑石(shi)(shi)。 碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)又稱碳(tan)硅(gui)石(shi)(shi)。在(zai)當(dang)代C、N、B等(deng)(deng)非(fei)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物高技術耐火原(yuan)料中，碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)為(wei)應用最(zui)廣泛、最(zui)經(jing)濟的一種(zhong)，可以
網頁四、碳化(hua)硅產品加(jia)工(gong)(gong)(gong)工(gong)(gong)(gong)藝流程 1、制(zhi)砂(sha)生產線設(she)備組(zu)成 制(zhi)砂(sha)生產線由顎式破(po)碎(sui)機、對輥破(po)碎(sui)機、球磨(mo)機、清吹機、磁選機、振 動篩和(he)皮(pi)帶機等設(she)備組(zu)合而成。 根(gen)據不同(tong)的工(gong)(gong)(gong)藝要(yao)(yao)求(qiu)，各種型號的設(she)備進(jin)行組(zu)合，滿足(zu)客戶的不同(tong)工(gong)(gong)(gong)藝要(yao)(yao)求(qiu)。 2、制(zhi)砂(sha)生產線基本
網(wang)頁(ye)2022年5月10日??碳化硅是目(mu)前發展最成熟的(de)第三代半(ban)導體材料。 中國粉(fen)體網(wang)訊 半(ban)導體行業(ye)作為現代電子信息產業(ye)的(de)基礎，是支撐國民經濟高(gao)質量(liang)發展的(de)重要(yao)行業(ye)。 第三代半(ban)導體指的(de)是SiC、GaN、ZnO、金剛石（C）、AlN等(deng)具有(you)寬(kuan)禁帶（Eg＞23eV）特性的(de)新興半(ban)導體材料。 碳化硅是
網頁2020年12月25日??碳化(hua)硅單晶(jing)襯(chen)底(di)材(cai)(cai)料線切(qie)割工藝存在材(cai)(cai)料損(sun)耗大、效(xiao)率低等缺點，必須進一步開(kai)發大尺(chi)寸碳化(hua)硅晶(jing)體的(de)切(qie)割工藝，提高加(jia)工效(xiao)率。 襯(chen)底(di)表面(mian)加(jia)工質量的(de)好壞直(zhi)接(jie)決定了(le)外延材(cai)(cai)料的(de)表面(mian)缺陷(xian)密(mi)度，而大尺(chi)寸
網(wang)頁2019年(nian)5月(yue)5日??關注 碳化硅生產工(gong)(gong)藝(yi)流程(cheng)簡述如下: ⑴、原(yuan)料破(po)(po)碎(sui) 采用錘式破(po)(po)碎(sui)機(ji)(ji)對(dui)石(shi)油焦進行破(po)(po)碎(sui),破(po)(po)碎(sui)到(dao)工(gong)(gong)藝(yi)要求的粒(li)徑。 ⑵、配(pei)(pei)料與混料 配(pei)(pei)料與混料是按(an)照規定配(pei)(pei)方進行稱(cheng)量(liang)和混勻(yun)的過程(cheng)。 本項目配(pei)(pei)料采用平臺,混料采用混凝土攪拌機(ji)(ji),按(an)照工(gong)(gong)藝(yi)要求對(dui)石(shi)油焦和石(shi)英(ying)砂
網頁(ye)2021年5月(yue)14日??樹牢綠色低(di)碳(tan)基礎材料標(biao)桿(gan) 17:45 （來(lai)源：海(hai)東之聲） 海(hai)東市(shi)化隆回族自治縣境(jing)內，109國道、蘭寧(ning)高速穿城而過，坐落(luo)于巴燕(yan)加合經濟園依托碳(tan)化硅、電(dian)解鋁資(zi)源優(you)勢，利用蘭西城市(shi)群、西寧(ning)—海(hai)東都市(shi)圈建設便(bian)利條件，發展有色金屬、新能源
網(wang)頁2022年(nian)12月1日??其(qi)中碳(tan)化硅因其(qi)優越的(de)物理(li)性能(neng)：高禁(jin)帶寬度、高電導(dao)率、高熱(re)導(dao)率，有望成為未來最被廣(guang)泛使用(yong)的(de)制作半(ban)導(dao)體(ti)芯(xin)片的(de)基礎材料。 SiC 器件的(de)制造是保證其(qi)優良應用(yong)的(de)關鍵，本(ben)文將詳細(xi)介(jie)紹SiC器件制造的(de)離(li)子注入(ru)工(gong)藝和激活退(tui)火工(gong)藝。 離(li)子注入(ru)是一種向半(ban)
網頁四、碳(tan)化硅(gui)產(chan)(chan)品加工工藝流程 1、制砂生產(chan)(chan)線(xian)設備(bei)組(zu)成 制砂生產(chan)(chan)線(xian)由顎(e)式(shi)破碎(sui)機(ji)、對輥破碎(sui)機(ji)、球磨機(ji)、清吹機(ji)、磁選(xuan)機(ji)、振 動篩和皮帶(dai)機(ji)等設備(bei)組(zu)合而成。 根(gen)據(ju)不(bu)同(tong)的(de)(de)工藝要(yao)求(qiu)，各(ge)種型號的(de)(de)設備(bei)進(jin)行組(zu)合，滿足客戶(hu)的(de)(de)不(bu)同(tong)工藝要(yao)求(qiu)。 2、制砂生產(chan)(chan)線(xian)基(ji)本
網頁(ye)2022年(nian)3月2日??晶(jing)(jing)體(ti)(ti)生長(chang)：為碳化硅襯(chen)底制造最核心工藝(yi) 環節(jie) 1) 目(mu)前市場主(zhu)流(liu)工藝(yi)為 PVT 氣(qi)相傳輸法(fa)（固(gu)氣(qi)固(gu)反應）。在 2300°C 密閉、真 空的生長(chang)腔(qiang)室(shi)內加熱碳化硅粉料，使其升(sheng)華(hua)成反應氣(qi)體(ti)(ti)。再輸運至籽晶(jing)(jing)處、在 籽晶(jing)(jing)表(biao)面原子(zi)沉積，生長(chang)為碳化硅單晶(jing)(jing)
網頁2020年12月25日??碳化(hua)硅單晶襯底材(cai)料線切(qie)割工(gong)(gong)藝(yi)存(cun)在材(cai)料損耗大(da)、效(xiao)率(lv)低等缺(que)點，必須進(jin)一步開發大(da)尺(chi)寸碳化(hua)硅晶體的(de)(de)切(qie)割工(gong)(gong)藝(yi)，提高加工(gong)(gong)效(xiao)率(lv)。 襯底表面加工(gong)(gong)質量的(de)(de)好壞直接決定了外(wai)延材(cai)料的(de)(de)表面缺(que)陷(xian)密度，而大(da)尺(chi)寸
網頁2021年5月(yue)14日(ri)??樹(shu)牢綠(lv)色(se)低碳基礎(chu)材料標(biao)桿(gan) 17:45 （來(lai)源：海東(dong)之聲） 海東(dong)市化(hua)隆回族自治縣境內，109國道、蘭(lan)寧高速穿城(cheng)(cheng)而過，坐落于(yu)巴燕(yan)加合經濟園依(yi)托(tuo)碳化(hua)硅(gui)、電解鋁資源優(you)勢，利用蘭(lan)西(xi)城(cheng)(cheng)市群(qun)、西(xi)寧—海東(dong)都市圈建(jian)設便(bian)利條件，發(fa)展有色(se)金屬、新(xin)能源
網(wang)頁2021年10月14日(ri)??碳化硅(gui)(gui)(gui)是(shi)用石英(ying)砂(sha)、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chan)綠色碳化硅(gui)(gui)(gui)時需要加食鹽）等原料通(tong)過電阻爐(lu)高(gao)溫冶煉(lian)(lian)而(er)成。煉(lian)(lian)得的碳化硅(gui)(gui)(gui)塊(kuai)，經破(po)碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而(er)制(zhi)成各種(zhong)粒度的產(chan)品。下面跟(gen)隨河(he)南四(si)成碳化硅(gui)(gui)(gui)廠(chang)家一起了解(jie)下碳化硅(gui)(gui)(gui)的生產(chan)工(gong)藝： 1、原料破(po)碎：采用錘式破(po)碎機對(dui)石油焦進行
網頁2023年2月3日??碳化(hua)(hua)硅，是(shi)一種(zhong)無機物，化(hua)(hua)學(xue)式為(wei)SiC，是(shi)用石(shi)英砂(sha)(sha)、石(shi)油焦(jiao)（或煤焦(jiao)）、木屑（生產綠色碳化(hua)(hua)硅時需要加食(shi)鹽）等原料通過(guo)電阻爐高(gao)溫冶煉而成。碳化(hua)(hua)硅在大(da)自然也存在罕見的礦物，莫桑石(shi)。在C、N、B等非氧化(hua)(hua)物高(gao)技術(shu)耐(nai)火(huo)原料中，碳化(hua)(hua)硅為(wei)應用最(zui)廣(guang)泛、最(zui)經濟(ji)的一種(zhong)，可(ke)以稱為(wei)金鋼砂(sha)(sha)或耐(nai)火(huo)砂(sha)(sha)。
網頁2014年3月26日??碳化硅生(sheng)產過(guo)程中產生(sheng)的(de)問題： 1施工期(qi)的(de)環(huan)(huan)境(jing)影響及(ji)預防或者減輕不良環(huan)(huan)境(jing)影響的(de)對(dui)策和措施的(de)要點: ①揚(yang)塵，土石方施工、建筑(zhu)材(cai)料(liao)的(de)運(yun)輸和堆存會產生(sheng)揚(yang)塵，對(dui)周圍(wei)環(huan)(huan)境(jing)空氣產生(sheng)影響;②施工機械排放的(de)尾氣;③噪聲(sheng)，施工車(che)輛、建筑(zhu)機械運(yun)行和施工材(cai)料(liao)的(de)碰撞(zhuang)產生(sheng)噪聲(sheng)，影響聲(sheng)環(huan)(huan)境(jing)質量;④建筑(zhu)
網頁2016年12月(yue)10日??碳化硅 sic 線(xian)膨脹 工(gong)(gong)藝(yi) 生產 配料 pathway3 分享(xiang)于 21:37:100 更多>> 相關文(wen)檔 備考2023年安全員之(zhi)江蘇省C2證（土建安全員）押題練習(xi)試(shi)題B卷(juan)含答(da)案 備考2023年施(shi)工(gong)(gong)員之(zhi)市(shi)政(zheng)施(shi)工(gong)(gong)基礎(chu)知識(shi)自我檢測試(shi)卷(juan)B卷(juan)附答(da)案
網頁2021年(nian)7月19日(ri)??簡介：本說明書提(ti)供(gong)一種碳(tan)化硅晶體配方(fang)技(ji)術，該方(fang)法包括：將碳(tan)化硅籽晶置(zhi)于(yu)生(sheng)長(chang)腔體頂部；將加(jia)熱(re)組件中的(de)加(jia)熱(re)單元(yuan)安裝在生(sheng)長(chang)腔體內部，將至(zhi)(zhi)少部分源材料置(zhi)于(yu)至(zhi)(zhi)少部分加(jia)熱(re)單元(yuan)上表面(mian)，其中，加(jia)熱(re)單元(yuan)包括至(zhi)(zhi)少一個(ge)流(liu)通(tong)通(tong)道，至(zhi)(zhi)少一個(ge)流(liu)通(tong)通(tong)道貫穿加(jia)熱(re)
網頁2022年(nian)5月(yue)24日??漬(zi)碳(tan)碳(tan)化(hua)硅用(yong)石(shi)英砂(sha)、石(shi)油(you)焦（或(huo)煤焦）、木屑（生產綠色碳(tan)化(hua)硅時需要加食鹽）等(deng)原料通(tong)過電阻(zu)爐高(gao)溫冶(ye)煉而成。漬(zi)碳(tan)碳(tan)化(hua)硅在大自(zi)然(ran)也存在罕見的礦(kuang)物(wu)，莫桑石(shi)。在當代(dai)C、N、B等(deng)非氧化(hua)物(wu)高(gao)技術耐(nai)火(huo)原料中，漬(zi)碳(tan)碳(tan)化(hua)硅為(wei)應(ying)用(yong)最廣泛(fan)、最經(jing)濟的一種(zhong)，可(ke)以稱為(wei)金鋼砂(sha)或(huo)耐(nai)火(huo)砂(sha)。
網頁2021年10月22日??2018年12月19日，三(san)安(an)集成(cheng)宣布(bu)已完成(cheng)了商業版(ban)本的(de)6英寸(cun)(cun)碳化(hua)硅晶圓制造技術的(de)全部工(gong)藝 鑒定試驗。并將其加(jia)入到(dao)代工(gong)服務組合中(zhong)。2020年07月19，三(san)安(an)光電在長沙的(de)第(di)三(san)代半(ban)導體(ti)項目(mu)開工(gong)，主要用(yong)于研(yan)發、生產及銷售6英寸(cun)(cun)SIC導電襯底、4吋半(ban)絕(jue)緣襯
網頁(ye)2022年5月10日??碳化(hua)(hua)硅襯(chen)底(di) 襯(chen)底(di)制(zhi)造是(shi)(shi)碳化(hua)(hua)硅產業(ye)鏈技術壁壘最高、價值量(liang)最大的環節，是(shi)(shi)未來碳化(hua)(hua)硅大規模(mo)產業(ye)化(hua)(hua)推進(jin)的核心環節。碳化(hua)(hua)硅的襯(chen)底(di)可以按(an)照(zhao)電阻(zu)(zu)率(lv)分為導(dao)電型襯(chen)底(di)和半(ban)絕(jue)緣型襯(chen)底(di)，導(dao)電型電阻(zu)(zu)率(lv)在002Ωcm左右，半(ban)絕(jue)緣型電阻(zu)(zu)率(lv)大于106Ωcm。
網頁2021年8月4日(ri)??碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)芯片這樣制造(zao) 新(xin)材料，“芯”未(wei)來！ 碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)芯片，取代傳統硅(gui)(gui)基芯片，可以有效(xiao)(xiao)提高(gao)工作效(xiao)(xiao)率、 降(jiang)低能量損耗，減少碳(tan)(tan)排放，提高(gao)系統可靠(kao)性，縮(suo)減體(ti)積(ji)、節約空(kong)間。 以電(dian)(dian)動(dong)汽車(che)為例，采用碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)芯片，將使電(dian)(dian)驅裝置的體(ti)積(ji)縮(suo)小(xiao)為五分之(zhi)一(yi)，電(dian)(dian)動(dong)汽車(che)
網頁(ye)“第(di)二代(dai)(dai)(dai)”和“第(di)三代(dai)(dai)(dai)”半導(dao)體(ti)并非替代(dai)(dai)(dai)關系，下一(yi)代(dai)(dai)(dai)也不是全面領(ling)先于上一(yi)代(dai)(dai)(dai)。氮(dan)化鎵也不會完全取代(dai)(dai)(dai)硅(gui)的市場。現有的半導(dao)體(ti)產業鏈都是圍繞硅(gui)片(pian)建立的，氮(dan)化鎵只能分到一(yi)塊很小的市場。
網頁2021年(nian)5月14日(ri)??樹牢綠色低碳基礎材料標桿 17:45 （來源：海(hai)東之聲(sheng)） 海(hai)東市(shi)化隆回族自治縣境內，109國(guo)道、蘭寧高速穿城而過，坐落(luo)于(yu)巴燕加合經(jing)濟(ji)園(yuan)依托碳化硅(gui)、電(dian)解鋁資源優勢，利(li)用蘭西城市(shi)群、西寧—海(hai)東都市(shi)圈建(jian)設便(bian)利(li)條(tiao)件(jian)，發展有色金屬、新能(neng)源
網頁2022年3月(yue)21日??金(jin)剛砂(sha)又名碳(tan)化硅(gui)(gui)(SiC)是(shi)用石英砂(sha)、石油(you)焦(或煤焦)、木屑(生產(chan)綠色碳(tan)化硅(gui)(gui)時需(xu)要加(jia)食(shi)鹽(yan)) 此外還有立(li)方碳(tan)化硅(gui)(gui)，它是(shi)以(yi)特殊工(gong)藝(yi)制取的(de)黃綠色晶體(ti)，用以(yi)制作的(de)磨(mo)具適于軸承的(de)超(chao)精加(jia)工(gong)，可使表面粗(cu)糙度從(cong)Ra32~016微米一次(ci)加(jia)工(gong)到Ra004~002
網頁2023年2月(yue)3日??描述 碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)技術標準 碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)，又(you)稱碳硅(gui)石，也可以稱為(wei)金鋼砂或耐火砂，在當(dang)代C、N、B等非氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物高技術耐火原料中，碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)是(shi)最經濟，也是(shi)應(ying)用(yong)最廣(guang)泛的一(yi)種(zhong)。
網頁2014年3月26日(ri)??碳化硅(gui)生產過程(cheng)中(zhong)產生的問題： 1施工期的環(huan)(huan)境影(ying)響(xiang)及預(yu)防或者減輕不良環(huan)(huan)境影(ying)響(xiang)的對策和(he)(he)措(cuo)施的要(yao)點: ①揚(yang)塵(chen)，土石方施工、建筑(zhu)材(cai)料(liao)的運(yun)輸和(he)(he)堆存會產生揚(yang)塵(chen)，對周圍環(huan)(huan)境空(kong)氣(qi)產生影(ying)響(xiang);②施工機械(xie)排放的尾氣(qi);③噪(zao)聲(sheng)(sheng)，施工車(che)輛(liang)、建筑(zhu)機械(xie)運(yun)行和(he)(he)施工材(cai)料(liao)的碰撞產生噪(zao)聲(sheng)(sheng)，影(ying)響(xiang)聲(sheng)(sheng)環(huan)(huan)境質量;④建筑(zhu)
網(wang)頁2021年7月(yue)19日??簡介：一種碳化硅(gui)(gui)(gui)晶(jing)(jing)體的(de)生(sheng)(sheng)長方法(fa)(fa)，它屬于碳化硅(gui)(gui)(gui)晶(jing)(jing)體生(sheng)(sheng)長方法(fa)(fa)領域。本(ben)技(ji)術(shu)要解(jie)決的(de)技(ji)術(shu)問題為降低碳化硅(gui)(gui)(gui)晶(jing)(jing)體的(de)熱應力。本(ben)技(ji)術(shu)取碳化硅(gui)(gui)(gui)籽晶(jing)(jing)，粘(zhan)接于石(shi)墨(mo)(mo)坩堝上蓋，將石(shi)墨(mo)(mo)坩堝加裝保溫(wen)材料(liao)放置到單晶(jing)(jing)生(sheng)(sheng)長爐(lu)內，抽真空到10?20Pa以(yi)下，之后加熱到500?550℃，保持真空狀(zhuang)態1?2h，然后將氬氣充入
